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Etude du fonctionnement des photopiles solaires Cu2S-CdS type S.A.T
- Source :
- Revue de Physique Appliquée, Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1979, 14 (1), pp.245-251. ⟨10.1051/rphysap:01979001401024500⟩
- Publication Year :
- 1979
- Publisher :
- HAL CCSD, 1979.
-
Abstract
- Dans cet article nous montrons que dans les photopiles Cu2S-CdS (SAT) les lois de courants a l'obscurite et sous eclairement correspondent a des mecanismes, de conduction par effet tunnel. De plus en supposant l'existence d'une couche interfaciale limitee par des etats d'interfaces entre le Cu2S et le CdS, nous avons pu expliquer les resultats concernant les mesures de la capacite en fonction de la tension appliquee.
- Subjects :
- 010302 applied physics
Semiconductor thin films
Interface layer
cadmium compounds
copper compounds
Materials science
SAT Cu sub 2 S CdS photocells
interface states
solar cell arrays
02 engineering and technology
applied voltage
021001 nanoscience & nanotechnology
01 natural sciences
II VI semiconductors
capacitance measurements
[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives
0103 physical sciences
solar cells
semiconductor thin films
tunnel conduction mechanism
0210 nano-technology
interface layer
Humanities
tunneling current laws
Subjects
Details
- Language :
- French
- ISSN :
- 00351687 and 27773671
- Database :
- OpenAIRE
- Journal :
- Revue de Physique Appliquée, Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1979, 14 (1), pp.245-251. ⟨10.1051/rphysap:01979001401024500⟩
- Accession number :
- edsair.doi.dedup.....c6e408ac623a40f9d75c9226f4c81533