NATIVE OXIDES BEHAVIOR DURING PULSED LASER IRRADIATION OF GaAs

Nous avons utilisk des techniques d'analyses nuclkaires et de spectrom6trie de masse d'ions secondaires pour Ctudier le comportement d'oxydes natifs de GaAs enrichis h 1'180 et irradids sous vide au moyen d'un laser Rubis dCclench6. Nous avons examin6 Itincorporation d'160, l'incorporation et les pertes dl180 ainsi que le ddplacement des cations As et Ga hors des sites du rCseau en fonction de la densitd d'dnergie du faisceau laser. Nos rdsultats d&montrent qu'il est nkcessaire d'irradier avec une densitd d'knergie de I'ordre de 0,8 J/cmZ, afin d'dliminer compl6tement les oxydes de surface. Toutefois, avant Climination compl&te, nous observons une dissolution partielle de ces oxydes dans le mat6riau liquide sous-jacent, ce qui a pour effet d'induire un important piCgeage d'oxygine dans les couches resolidifikes. Nous observons de plus que la surface passe de facon continue d'un dtat riche en Ga & un