Estudio químico-cuántico de los defectos producidos por las vacancias de oxígeno en los cristales de Titanato de plomo PbTiO3

Se realiza una investigación teórica mediante simulaciones químico-cuánticas en la estructura cristalina del semiconductor tipo perovskita Titanato de Plomo PbTiO3 en su fase cúbica, generando vacancias de átomos de oxígeno y F–centros. Los desplazamientos de los átomos vecinos, el incremento de las propiedades ópticas y eléctricas, las energías producto de la relajación de la red cristalina y otros nuevos efectos debido a la presencia de estos defectos se detallan y analizan. Además se presenta una comparación con estudios similares e importantes conclusiones de los resultados.