Un centre moléculaire avec une configuration dépendante de l'état de charge pour expliquer les propriétés anormales du CdTe dopé au chlore

En étudiant le CdTe dopé au chlore par des techniques de mesure de capacité de jonction, nous avons découvert un nouvel aspect des effets anormaux associés à l'incorporation du chlore dans CdTe ainsi que cela avait été déjà publié. Nous avons mis en évidence l'existence d'un piège à électrons, mais il y a une différence importante entre les résultats de mesures de capacité thermostimulée (ΔE = 0,41 eV) et de photocapacitance (piège situé à peu près au milieu de la bande interdite). Les mêmes résultats ont été obtenus sur des échantillons contenant la même quantité de chlore mais différent par le taux d'auto-compensation. Les différents modèles utilisés jusqu'à présent pour expliquer le comportement de CdTe dopé au chlore sont exposés : modèle de centre double accepteur et modèle de donneur non-Γ. Nous avons été amenés à repousser ces modèles et à proposer un modèle non purement électronique : deux atomes de chlore sont impliqués dans chaque centre, un des deux atomes pouvant occuper deux sites dans le réseau. A chaque configuration correspond un état de charge donné du centre et une énergie d'ionisation électronique différente. Les expériences de thermostimulation sont celles qui sont associées au changement de configuration microscopique du centre qui entraîne le dépiégeage des électrons.