THE DYNAMICS OF ACOUSTIC EMISSION IN LOCALLY-IS NON-UNIFORMLY THERMO STRAINED HETEROSTRUCTURES

In operation the analysis of dynamics of an acoustic emission that accompanies with degradation and local processes of a relaxation and a defect formation in locally-is non-uniformly thermostrained heterostructures InGaN/GaN and GaAsP/GaP at step-by-step magnification of a direct current is lead. It is shown, that dynamics ÀÅ is well coordinated with the basic guesses — ÀÅ is the chaotic relaxation process determined in time, parameters ÀÅ depend on quantity of change and velocity of change of a level of the exterior fixed loading, quantity of the same sources ÀÅ activated by this influence during time of its activity, and also a variance of some parameters of these sources AE.
В роботі проведено аналіз динаміки акустичної емісії, що супроводжує деградацію і локальні процеси релаксації та дефектоутворення в локально-неоднорідно термонапружених гетероструктурах InGaN/GaN та GaAsP/GaP при покроковому збільшенні прямого постійного струму. Показано, що динаміка АЕ добре узгоджується з основними висловленими припущеннями — АЕ є детермінованим в часі хаотичним релаксаційним процесом, параметри АЕ залежать від величини зміни та швидкості зміни рівня зовнішнього фіксованого навантаження, кількості однотипних джерел АЕ, активованих цим впливом на протязі часу його дії, а також дисперсією деяких параметрів цих джерел АЕ.
В работе проведен анализ динамики акустической эмиссии, что сопровождает деградацию и локальные процессы релаксации и дефектообразования в локально-неоднородно термонапряженных гетероструктурах InGaN/GaN и GaAsP/GaP при пошаговом увеличении прямого постоянного тока. Показано, что динамика АЕ хорошо согласовывается с основными предположениями — АЕ является детерминированным во времени хаотическим релаксационным процессом, параметры АЕ зависят от величины изменения и скорости изменения уровня внешней фиксированной нагрузки, количества однотипных источников АЕ, активированных этим влиянием в течение времени его действия, а также дисперсией некоторых параметров этих источников АЕ