Raman diagnostics of free charge carriers in boron‐doped silicon nanowires

Authors :: Tetyana Nychyporuk
V. Yu. Timoshenko
S. P. Rodichkina
Alexander V. Pavlikov
Vladimir Lysenko
INL - Photovoltaïque (INL - PV)
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N)
Source :: Journal of Raman Spectroscopy, Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2019, 50 (11), pp.1642-1648. ⟨10.1002/jrs.5702⟩
Publication Year :: 2019
Publisher :: HAL CCSD, 2019.
Abstract: International audience

Language :: English
ISSN :: 03770486 and 10974555
Database :: OpenAIRE
Journal :: Journal of Raman Spectroscopy, Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2019, 50 (11), pp.1642-1648. ⟨10.1002/jrs.5702⟩
Accession number :: edsair.doi.dedup.....12234f37546208c195f9d2f43a4e635c

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