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A Digital Delay Line with Coarse/Fine tuning through Gate/Body biasing in 28nm FDSOI

Authors :
Antoine Frappe
Andreas Kaiser
Laurent Clavier
Ilias Sourikopoulos
Andreia Cathelin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Microélectronique Silicium - IEMN (MICROE SI - IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Ecole nationale supérieure Mines-Télécom Lille Douai (IMT Lille Douai)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Renatech Network
Laboratoire commun STMicroelectronics-IEMN T2
Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN)
Source :
46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / 42nd European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / 42nd European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2016, Lausanne, Switzerland. pp.145-148, ⟨10.1109/ESSCIRC.2016.7598263⟩, ESSCIRC Conference 2016: 42nd European Solid-State Circuits Conference, ESSCIRC
Publication Year :
2016
Publisher :
HAL CCSD, 2016.

Abstract

International audience; This paper discusses the design and characterization of a programmable digital delay line. The core of the proposed architecture is a thyristor-type delay element featuring the capability for coarse/fine tuning without using any additional hardware. This is made possible by taking advantage of body biasing features available in 28nm FDSOI CMOS. Body biasing offers unique performance characteristics, notably a very low sensitivity to the biasing voltage. The prototype delay line was designed featuring thermometer-code multi-stage activation and gate/body biasing control. A delay range from 560ps to 16.13ns is exhibited for the delay line with a 2GS/s input stream. The unit delay cell exhibits fs/mV sensitivity combined with an order of magnitude larger delay dynamic range and an energy efficiency of only 12.5 fJ/event.

Details

Language :
English
ISBN :
978-1-5090-2972-3
ISBNs :
9781509029723
Database :
OpenAIRE
Journal :
46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / 42nd European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / 42nd European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2016, Lausanne, Switzerland. pp.145-148, ⟨10.1109/ESSCIRC.2016.7598263⟩, ESSCIRC Conference 2016: 42nd European Solid-State Circuits Conference, ESSCIRC
Accession number :
edsair.doi.dedup.....0baf663653f75ddfb8e303d54d5b489c
Full Text :
https://doi.org/10.1109/ESSCIRC.2016.7598263⟩