Dielektrische Eigenschaften zweier halbleitender, einkristalliner Äthyl-phenothiazin–Jod-Komplexe bei 10 GHz

Es wird uber Messungen der Gleichstromleitfahigkeit σ und der komplexen Dielektrizitatszahl ϵ = ϵ′ − j ϵ″ bei 10 GHz an Einkristallen zweier halbleitender, organischer Ladungsubertragungskomplexe berichtet. Beide Komplexe wurden aus N-Athyl-phenothiazin (EPT) und Jod hergestellt. Leitfahigkeit σ und Realteil ϵ′ der Dielektrizitatszahl bei 20°C betragen beim EPT–Jod(I)-Komplex σ = 1,5 (Ωcm)−1, ϵ′ = 500, beim EPT–Jod(II)-Komplex σ = 5 σ 10−4 (Ωcm)−1, ϵ′ = 7 bzw. 12 (anisotrop). Beim EPT–Jod(I)-Komplex sind die dielektrischen Verluste ϵ″ bei Temperaturen unterhalb −50°C wesentlich hoher als erwartet und besitzen einen starken frequenzabhangigen Anteil. Die Verluste des EPT–Jod(II)-Komplexes dagegen zeigen ein normales Verhalten. Measurements of the dc conductivity σ and the complex dielectric number ϵ = ϵ′ − j ϵ″ at 1010 Hz of single crystals of two semiconducting, organic charge-transfer complexes are reported. The complexes were prepared from N-ethyl-phenothiazine (EPT) and iodine. The room temperature values of the conductivity σ and the real part ϵ′ of the dielectric number of the EPT–iodine (I) complex are σ = 1.5 (Ωcm)−1 and ϵ′ = 500, respectively, and of the EPT–iodine(II) complex σ = 5 × 10−4 (Ωcm)−1 and ϵ′ = 7 and 12 (anisotropic), respectively. At temperatures below −50°C the dielectric loss factor ϵ″ of the EPT–iodine(I) complex is substantially higher than expected from dc data and has a strong frequency-dependent part. The dielectric loss of the EPT–iodine(II) complex, however, shows normal behaviour.