Electron Magnetic Susceptibility and the Band Structure of Silicon-Rich n-Type Silicon-Germanium Alloys

Earlier measurements have been extended to a larger number of samples of high crystal-line perfection, high purity, and well-defined homogeneous doping. Furtheron the measuring equipment has been improved. The before madc statement could be confirmed, that the transverse electron mass as derived from the magnetic susceptibility in silicon–germaniuni alloys with a silicon content between 65 and 100 at% Si is constant with a value m⟂ = 0.27 m (m free electron mass). Fruliere Messungen wurden mit einer verbesserten expcrimentellen Anordnung auf eine grose Zahl von Proben ausgedehnt, die eine hohe Kristallqualitat. hohe Reinheit und hornogene wohldefinierte Dotierung besasen. DAS fruhere Ergebnis wurde bestlitigt : die transversale effektive Masse m, ⟂ = 027 m, wie sie sich aus der niagnetischen Suszeptibilitat ergibt, ist fur Silizium–Germanium-Legierungen mit einem Siliziamgehalt zwischeri 65 und 100 At% si konstant (m Masse des freien Elektrons).