Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа

В данной работе было исследовано влияние легирования барьерного слоя AlGaN примесью n-типа в одно- и трёхканальных AlGaN/AlN/GaN гетероструктурах на их электрические свойства. Установлено, что оптимальная толщина i-AlGaN спейсера составляет 3 нм, а оптимальная концентрация Si примеси в n-AlGaN составляет 7·1018 см-3. Наименьшее рассчитанное слоевое сопротивление трёхканальной структуры при комнатной температуре ~90 Ом/квадрат, что в три раза меньше, чем у одноканальной структуры.
The influence of n-type doping of the AlGaN barrier layer in AlGaN/AlN/GaN single- and triple-channel heterostructures on their electrical properties was studied. It was found that the optimal thickness of i-AlGaN spacer is 3 nm, and the Si concentration in n-AlGaN is 7·1018 cm-3. The lowest predicted sheet resistance at room temperature for the triple-channel structure of the optimal design is ~90 Ω sq-1., three times lower than that of the single-channel structure.