Growth processes and properties of ultra-thin CaF2 layers on Si(111) for two-dimensional nanoelectronics

Данная работа посвящена выращиванию методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) тонких слоев фторида кальция на кремниевых подложках CaF2/Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами дифракции быстрых электронов (ДБЭ) на отражение и атомно-силовой микроскопии (АСМ). В ходе исследований были выращены и получены физические свойства 120 нм и 2 нм пленок CaF2, рассмотрен потенциал использования фторида кальция в двумерной наноэлектронике.
This work is devoted to the growth of thin layers of calcium fluoride on silicon substrates CaF2/Si(111) using molecular beam epitaxy (MBE) and the study of their crystal structure and topography by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM). After the growth, the physical properties of 120 nm and 2 nm CaF2 films were studied, and the potential of calcium fluoride films for using in two-dimensional nanoelectronics was considered.