Observation de défauts d'empilement sous très haute tension

L'observation d'echantillons de CuSi 4 % par microscopie electronique a tres haute tension nous a conduits a etudier le contraste de diffraction de defauts d'empilement par comparaison detaillee des micrographies electroniques aux profils theoriques correspondants. Dans un premier temps nous avons evalue dans le cristal parfait, les valeurs, en tres haute tension de certains parametres (distances d'extinction, coefficients d'absorption) s'introduisant dans la theorie dynamique a N ondes. Des considerations simples sur les interferences entre les differents champs d'onde peuvent expliquer le contraste observe des defauts d'empilement, l'origine par exemple d'une structure fine sur les images en fond noir. Nous concluerons, dans ce travail, que les regles de contraste de tels defauts sont pratiquement les memes en tres haute tension (1 MV) et en basse tension (100 kV).