Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren

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Böhmer, Jürgen. Wirkung Des Ladungsträgerplasmas Auf Das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren. Jan. 2014. EBSCOhost, https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001314.

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Böhmer, J. (2014). Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren. https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001314

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Böhmer, Jürgen. 2014. “Wirkung Des Ladungsträgerplasmas Auf Das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren,” January. doi:10.18453/rosdok_id00001314.