EDSR Investigation of n-type silicon deformed under high stress

Combined resonance of the EDSR type is investigated with n-type silicon crystals plastically deformed under high stress. The signal is due to electrons oscillating along straight segments of 90° partial dislocations. The effect is closely related to microwave conductivity. Es wird uber EDSR-Spektren von n-Siliziumkristallen berichtet, die unter hoher Spannung plastisch verformt waren. Das Spektrum beruht auf der Oszillation von Elektronen entlang gerader Segmente von 90°-Partialversetzungen. Es besteht die gleiche Abhangigkeit von der effektiven Dotierung wie bei der Mikrowellenleitfahigkeit.