PRODUCTION DES DÉFAUTS PAR IRRADIATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

Les differentes etapes qui gouvernent la production des defauts sont decrites. L'accent est place sur les problemes non encore resolus tels que la determination de l'energie du seuil de deplacement, la mobilite des interstitiels a basse temperature, la nature des defauts dans les zones tres fortement desordonnees. Des mecanismes de type electronique susceptibles d'induire ou d'accelerer la mobilite de defauts de type interstitiel ou lacunaire sont proposes et discutes.