VP Related Defects in Diffused GaP:N Diodes

Based on experimental evidence models are tentatively suggested to identify deep-level defects in Gap related to the phosphorus vacancy Vp. Especially, the complex (ZnGa, Vp) is proposed to be a dominant nonradiative recombination centre on the n-side of non-perfectly diffused junctions. During operation of light-emitting diodes, a specific mode of degradation may occur due to the recombination-assisted generation of the phosphorus vacancy. Moreover, defect reactions are studied associated with Vp related deep-level defects in Gap. Es wird auf die Natur von Storstellen in GaP eingegangen, die die Phosphorleerstelle enthalten. Insbesondere wird der (ZnGa, Vp)-Komplex untersucht, der ein dominierendes strahlungsloses Rekombinationszentrum auf der n-Spite von unzureichend diffundierten p-n-Ubergangen darstellt. In derartigen Dioden kann ein spezifischer Degradationsprozefs auftreten, der durch die rekom-binationsunterstutzte Generation von Phosphorleerstellen verursacht wird. Daneben findrn wahrend der Degradation Defektreaktionen statt, die mit der Phosphorleerstelle gekoppelt sind.