Dielectric properties of structures ITO/C60/InGa

Publication Year :: 2020
Publisher :: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2020.
Abstract: В результате было установлено, что в постоянном электрическом поле напряженностью не более 5·10^5 В/м проводимость структур ITO/C60/InGa является омической, а при большей напряженности поля велико влияние объемного заряда на ВАХ. Определена подвижность электронов в исследуемой структуре. В рамках данной работы обосновано использование модели Вагнера-Купса для описания диэлектрических свойств структуры ITO/C60/InGa.<br />As a result, it was found that in a constant electric field with a electric intensity of not more than 5·10^5 V/m, the conductivity of the structures ITO/C60/InGa is ohmic, and with greater electric intensity, the effect of bulk charge on VAC is great. The mobility of electrons in the structure is determined. In this work the use of the Wagner-Coups model to descried the dielectric properties of the structure ITO/C60/InGa is justified.