Defect Symmetry from Stress Transient Spectroscopy

Etude du niveau E c -0,17 eV du silicium irradie par des neutrons, par spectroscopie transitoire sous contrainte uniaxiale. Determination de la symetrie des defauts, de la redistribution electronique induite par la contrainte et de l'orientation preferentielle des defauts. Mesure de l'energie d'activation de reorientation