ChemInform Abstract: Evaluation of Titanium as a Diffusion Barrier Between Aluminum and Silicon for 1.2 μm CMOS Integrated Circuits

Le systeme de metallisation pour interconnexions en Al-0,5 Cu/Ti dans les circuits integres CMOS des memoires a acces direct statiques est evalue du point de vue metallurgique, statique et fiabilite. Le systeme Al-0,5% Cu/Ti est superieur a Al-0,5% Cu et a Al-1% Si-0,5% Cu. La presence du titane ameliore nettement la resistance a l'electrodiffusion, reduit la grosseur et la densite des rugosites de recuit, renforce la stabilite electrique et thermique des contacts metal-silicium et metal-metal. La barriere opposee par le titane a la diffusion est etudiee electriquement (a partir de mesures du courant de fuite de jonctions) et analytiquement (par examen au microscope electronique par transmission des interfaces Al/Ti/Si). On constate que le titane constitue une barriere de diffusion efficace vis-a-vis de l'aluminium et du silicium dans la mesure ou il n'entre pas completement en composition pour donner TiAl 3