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Développement d’un capteur environnemental ultra-basse consommation à base de SnO2 en technologie CMOS FDSOI

Authors :
Antonio Assaf
João Resende
Levert Theo
Bernard Pelissier
Infante Ingrid C.
Bassem Salem
Bertrand Vilquin
Abdelkader Souifi
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)
École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI)
Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL)
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN)
ICPEI NANO2022
Société française de physique (SFP)
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Vilquin, Bertrand
Source :
Journées de la matière condensée (JMC17), Journées de la matière condensée (JMC17), Société française de physique (SFP), Aug 2021, Rennes, France, HAL
Publication Year :
2021
Publisher :
HAL CCSD, 2021.

Abstract

National audience; Le contrôle de la qualité de l’air présente aujourd’hui un enjeu majeur compte tenu des très forts impacts environnementaux liés aux activités industrielles et aux transports [1]. L’estimation du besoin annuel du capteur est d’un trillion (1012) à l’horizon 2022 [2].Les technologies de la microélectronique évoluent très rapidement et intègrent de plus en plus de nouvelles fonctions que l’on associe aux systèmes de traitement des informations. Dans ce contexte, les technologies à base de capteurs ultra-sensibles et ultra-basse consommation présentent un réel avantage. Les transistors à effet de champ FDSOI (fully depleted silicium on insulator) combinés à des matériaux sensibles et compatibles avec le Back-End-of-Line (BEOL) peuvent dans ce contexte être utilisés comme transducteurs électrochimiques ultra-sensibles et autonomes pour des applications notamment pour les secteurs industriels comme l’automobile et plus généralement dans le domaine de l’environnement. Le premier défi est d’optimiser le matériau sensible, d’une façon à baisser la température du travail du capteur afin de réduire la consommation d’énergie de ce dernier. Le matériau choisi est l’oxyde d’étain car SnO2 est un matériau très sensible au gaz environnant et possédant une longue durée de vie [3]. La réponse de ce dernier dépend de la microstructure du matériau (taille des grains, cristallinité, stœchiométrie, etc.) [4].Nous avons réalisé une étude systématique des conditions de dépôt par pulvérisation cathodique et de cristallisation post-dépôt de films minces de SnO2 sur silicium, compatibles avec les technologies BEOL. Des mesures de résisitivité ont complété les études structurales et ont permis d’optimiser les conditions d’élaboration.[1] J.K. Hart et al. Environmental sensor network: a revolution in the earth system science? Earth Sci. Rev., 2006) [2] Trillion Sensor Universe, iNEMI Spring Member Meeting and Webinar Berkeley, CA, April 2, 2013[3] Chengxiang Wang, Metal Oxide Gas Sensors: Sensitivity and Influencing Factors [4] Capteurs de gaz à SC – Techniques de l’ingénieur 2006

Details

Language :
French
Database :
OpenAIRE
Journal :
Journées de la matière condensée (JMC17), Journées de la matière condensée (JMC17), Société française de physique (SFP), Aug 2021, Rennes, France, HAL
Accession number :
edsair.dedup.wf.001..f4816ef4b71322dd5978de171f388262