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Texturation control of Pb(Zr,Ti)O3 films on SOI substrate

Authors :
Debray , C.
DELCAMP , C.
EL-FRIAKHJ , Z.
Henri , J.
Lhuillier , Jérémy
Liu , Qiang
MARCONOT , O.
Martin , Simon
PIQUEMAL , M.
POUSSIN , D.
Tanaka , H.
Albertini , David
BABOUX , Nicolas
Gautier , Brice
Delaunay , J.
Robach , Yves
ROJO ROMEO , Pédro
Vilquin , Bertrand
Epilepsie et Ischemie Cerebrale
Université Paris Descartes - Paris 5 (UPD5)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)
Ampère, Département Energie Electrique (EE)
Ampère (AMPERE)
École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
INL - Nanophotonique (INL - Photonique)
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
Institut de Géographie - Lausanne (IGUL)
Université de Lausanne (UNIL)
INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE)
INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon)
Centre hospitalier universitaire de Nantes (CHU Nantes)
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N)
Ampère
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon
Inl, Laboratoire INL UMR5270
Université Paris Descartes - Paris 5 ( UPD5 ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM )
Ampère, Département Energie Electrique ( EE )
École Centrale de Lyon ( ECL )
Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL )
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon )
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL )
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS )
INL - Nanophotonique ( INL - Photonique )
Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL )
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon )
Institut de Géographie - Lausanne ( IGUL )
Université de Lausanne ( UNIL )
INL - Dispositifs Electroniques ( INL - DE )
INL - Plateforme Technologique Nanolyon ( INL - Nanolyon )
Centre hospitalier universitaire de Nantes ( CHU Nantes )
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N )
Source :
ICMAST, ICMAST, 2014, Bilbao, Spain, ICMAST 2014, ICMAST 2014, 2014, Bilbao, Spain. 2014
Publication Year :
2014
Publisher :
HAL CCSD, 2014.

Abstract

June 8-11, 2014; International audience; Two low-cost methods, sputtering deposition and sol–gel processes, were used to study the effects of bottom electrodes preparation on the microstructure evolution and texture development of oriented PZT films. Microstructure development and perovskite content are strongly dependent on the temperature deposition of the Pt bottom electrode on SOI substrate and on the post-deposition annealing heating rate. Fast heating rate forms a dense fine-grained microstructure with polycristalline orientation. Very slow heating rate leads to (001) orientations.The texture selection of PZT films is independent of deposition process but sensitive to the Pt bottom electrode temperature deposition. Correlation and comparison of oriented sol–gel and sputtered PZT films with electrical properties are also made.

Details

Language :
English
Database :
OpenAIRE
Journal :
ICMAST, ICMAST, 2014, Bilbao, Spain, ICMAST 2014, ICMAST 2014, 2014, Bilbao, Spain. 2014
Accession number :
edsair.dedup.wf.001..f132a74caff2a3399a9250d6488d4d96