On the modelling of temperature dependence of subthreshold swing in MOSFETs down to cryogenic temperature

Authors :: Balestra, Francis
Ghibaudo, Gérard
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC)
Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )
Université Grenoble Alpes (UGA)
Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )
Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])
Source :: Solid-State Electronics, Solid-State Electronics, Elsevier, In press
Publication Year :: 2020
Publisher :: HAL CCSD, 2020.
Abstract: International audience

Subjects :: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

Language :: English
ISSN :: 00381101
Database :: OpenAIRE
Journal :: Solid-State Electronics, Solid-State Electronics, Elsevier, In press
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..ddf10c4547c055fee4bf73bbaf661a61

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