On 2D/3D numerical oxidation modeling : calibration and investigation of silicon crystal orientation effect on stresses in shallow trench isolations

Authors :: Hoffmann, T.
Dombrowski, K.F.
Senez, V.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Source :: Proceedings of the 2000 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems, MSM 2000
Publication Year :: 2000
Publisher :: HAL CCSD, 2000.

Language :: English
Database :: OpenAIRE
Journal :: Proceedings of the 2000 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems, MSM 2000
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..bfcc6e0735604c21578949ad9efd8efd

Tools