Interfacial effects on the tunneling magnetoresistance in La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_(3)/MgO/Fe tunneling junctions

We report on magnetotransport properties on La0.7Sr0.3MnO3/MgO/Fe tunnel junctions grown epitaxially on top of (001)-oriented SrTiO3 substrates by sputtering. It is shown that the magnetoresistive response depends critically on the MgO/Fe interfacial properties. The appearance of an FeOX layer by the interface destroys the DELTA1 symmetry filtering effect of the MgO/Fe system and only a small negative tunneling magnetoresistance (TMR) (∼ −3%) is measured. However, in annealed samples a switchover from positive TMR (∼ +25% at 70 K) to negative TMR (∼ −1%) is observed around 120 K. This change is associated with the transition from semiconducting at high T to insulating at low T taking place at the Verwey transition (TV ∼ 120 K) in Fe3O4, thus suggesting the formation of a very thin slab of magnetite at the MgO/Fe interface during annealing treatments.These results highlight the relevance of interfacial properties on the tunneling conduction process and how it can be substantially modified through appropriate interface engineering. Fil: Galceran, R.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España Fil: Balcells, Ll.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España Fil: Martinez Boubeta, C.. Universidad de Barcelona; España Fil: Bozzo, B.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España Fil: Cisneros Fernández, J.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España Fil: de la Mata, Manuel. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España Fil: Magén, C.. Universidad de Zaragoza; España Fil: Arbiol, J.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España. Institució Catalana de Recerca i Estudis Avancats; España Fil: Tornos, J.. Universidad Complutense de Madrid; España Fil: Cuellar, F. A.. Universidad Complutense de Madrid; España Fil: Sefrioui, Z.. Universidad Complutense de Madrid; España Fil: Cebollada, A.. Instituto de Microelectrónica de Madrid; España. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España Fil: Golmar, Federico. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina Fil: Hueso, Luis E.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; España Fil: Casanova, F.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; España Fil: Santamaría, J.. Universidad Complutense de Madrid; España Fil: Martinez, B.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Instituto de Ciencia de los Materiales de Barcelona; España