Si1-xGex alloys on III-V (100): first steps in film growth by low temperature PECVD epitaxy

Authors :: Vaissière, Nicolas
Hamon, Gwenaëlle
Lachaume, Raphaël
Chen, Wanghua
Decobert, Jean
Alvarez, J
Kleider, Jean-Paul
Roca I Cabarrocas, Pere
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM)
École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs)
Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab)
THALES-ALCATEL
ANR-13-PRGE-0009,IMPETUS,Multi-jonctions innovantes combinant MOVPE et épitaxie à basse température pour le solaire(2013)
THALES [France]-ALCATEL
Lachaume, Raphaël
Production Renouvelable et Gestion de l'Electricité - Multi-jonctions innovantes combinant MOVPE et épitaxie à basse température pour le solaire - - IMPETUS2013 - ANR-13-PRGE-0009 - PROGELEC - VALID
Source :: Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. 2016
Publication Year :: 2016
Publisher :: HAL CCSD, 2016.
Abstract: National audience

Subjects :: [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
[SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
[SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
[SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

Language :: English
Database :: OpenAIRE
Journal :: Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Nov 2016, Dourdan, France. 2016
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..84e5d0392bb0b9b60d78c2692c86a917

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