Process for preparing single-crystal thin films

Authors :: Dominique Chatain
Igor OZEROV
Blandine Courtois
Alain Ranguis
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM)
Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Cinam, Hal
Source :: France, Patent n° : WO/2020/053102. 2020, HAL
Publication Year :: 2020
Publisher :: HAL CCSD, 2020.
Abstract: The invention relates to a process for preparing single-crystal thin films of pure metals or alloys, by deposition and growth of grains on a (0001) sapphire having a miscut comprised between 0.2° and 5°, and oriented towards a specific plane. It also relates to a single-crystal thin film obtainable by such a process and uses thereof.<br />L'invention concerne un procédé de préparation de films minces monocristallins de métaux ou d'alliages purs, par dépôt et croissance de grains sur un saphir (0001) présentant une mauvaise découpe comprise entre 0,2° et 5°, et orientés vers un plan spécifique. L'invention concerne également un film mince monocristallin pouvant être obtenu par un tel procédé et ses utilisations.