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Le Nitrure de Gallium : un Matériau d'Avenir pour la Conception de Composants de Puissance Haute Tension et Haute Température

Authors :
Al Alam, Elias
Cazarré, Alain
Morancho, Frédéric
Isoird, Karine
Cordier, Yvon
Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE)
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS)
Université Toulouse Capitole (UT Capitole)
Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)
Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole)
Université de Toulouse (UT)
Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Source :
MGE 2008, MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Publication Year :
2008
Publisher :
HAL CCSD, 2008.

Abstract

National audience; Les potentialités désormais bien reconnues du Nitrure de Galium sur un large champ d'applications, alliées à la levée de bon nombre de verrous technologiques en font un matériau particulièrement intéressant en électronique de puissance, notamment pour des applications haute tension et/ou haute température. Dans cet article, nous mettons en avant les atouts dans ce domaine au moyen de résultats issus de simulations aux éléments finis, menées sur des dispositifs élémentaires de type Jonction PN et Transistor NMOS.

Details

Language :
French
Database :
OpenAIRE
Journal :
MGE 2008, MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Accession number :
edsair.dedup.wf.001..6d07182b255091cb2b2c93d2acfa5119