Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques

Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers la modification de l'énergie de la bande interdite. En effet on observe +25% en courant collecteur IC entre la structure la moins dense et la plus dense. De même les fréquences fT et fMAX augmentent de +21% et 12% respectivement.