Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off

National audience; The technology of GaN HEMT structures is the subject of major developments for large-gap power components. However, it is necessary to develop innovative technological solutions to obtain high-performance normally-off devices. We present a new normally-off structure based on a nanostructured P-GaN multi-well gate. The design of this structure, based on numerical simulations, and the technological advances for its manufacture by localised epitaxy of P-GaN wells along the grid will be presented.; RESUME-La technologie des structures HEMT GaN fait l'objet d'importants développements pour les composants de puissance grand gap. Cependant, il est nécessaire de développer des solutions technologiques innovantes pour obtenir des composants normally-off performants. Nous présentons une nouvelle structure normally-off basée sur une grille nanostructurée à multi-puits P-GaN. La conception de cette structure issue de simulations numériques ainsi que les avancées technologiques pour sa fabrication par épitaxie localisée des caissons P-GaN le long de la grille seront exposées.