Intérêts de la technologie CMOS SOI pour les applications micro-ondes faible tension faible consommation

Authors :: Dehan, M.
Parvais, B.
Dambrine, G.
Raskin, J.P.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Source :: 3èmes Journées Francophones d'Etudes Faible Tension Faible Consommation, FTFC'2001, 3èmes Journées Francophones d'Etudes Faible Tension Faible Consommation, FTFC'2001, 2001, Bruxelles, Belgique
Publication Year :: 2001
Publisher :: HAL CCSD, 2001.

Language :: French
Database :: OpenAIRE
Journal :: 3èmes Journées Francophones d'Etudes Faible Tension Faible Consommation, FTFC'2001, 3èmes Journées Francophones d'Etudes Faible Tension Faible Consommation, FTFC'2001, 2001, Bruxelles, Belgique
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..2331cd289f97c695e8d066283fe6c3b5

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