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The effect of the Ti getter layer and annealing on HfO2-based resistive random access memory studied by X-ray absorption, X-ray diffraction and electrical measurements

Authors :
Viennet, R.
Renevier, Hubert
Jalaguier, Eric
Jousseaume, V.
Gonon, P.
Deschanvres, J.L.
Grampeix, H.
Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP )
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI)
Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Source :
E-MRS Spring Meeting, Symp. M, E-MRS Spring Meeting, Symp. M, May 2015, Lille, France
Publication Year :
2015
Publisher :
HAL CCSD, 2015.

Abstract

International audience

Subjects

Subjects :
[CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

Details

Language :
English
Database :
OpenAIRE
Journal :
E-MRS Spring Meeting, Symp. M, E-MRS Spring Meeting, Symp. M, May 2015, Lille, France
Accession number :
edsair.dedup.wf.001..14debd9a7edd47a201c63277fc8447b8

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Authors Abstract Subjects Details