Inductively-Coupled Pulsed Plasmas in the Presence of Synchronous Pulsed Substrate Bias for Advanced Gate Etching

Authors :: Banna, S.
Agarwal, A.
Todorow, V.
Rauf, S.
Ramaswamy, K.
Stout, P.
Lymberopoulos, D.
Collins, K.
Tokashiki, K.
Y Lee, J.
Yoon, J.
Shin, K.
Joubert, O.
Cunge, G.
Pargon, E.
Vallier, L.
Maxime Darnon
Camille Petit-Etienne
Clot, Marielle
Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Source :: AVS 56th international symposium, AVS 56th international symposium, Nov 2009, San José, United States, HAL
Publication Year :: 2009
Publisher :: HAL CCSD, 2009.
Abstract: International audience

Language :: English
Database :: OpenAIRE
Journal :: AVS 56th international symposium, AVS 56th international symposium, Nov 2009, San José, United States, HAL
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..0caf489259973b0c122d84a671f19693

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