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The site of Indium in Indium + Carbon doped Silicon

Authors :
D’Acapito F.
Shimizu Y.
Scalese S.
Italia M.
Grasso S.
Privitera V.
Source :
Materials and Devices Meeting, Genova, 2005, info:cnr-pdr/source/autori:D’Acapito F., Shimizu Y., Scalese S., Italia M., Grasso S., Privitera V./congresso_nome:Materials and Devices Meeting/congresso_luogo:Genova/congresso_data:2005/anno:2005/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
Publication Year :
2005

Details

Database :
OpenAIRE
Journal :
Materials and Devices Meeting, Genova, 2005, info:cnr-pdr/source/autori:D’Acapito F., Shimizu Y., Scalese S., Italia M., Grasso S., Privitera V./congresso_nome:Materials and Devices Meeting/congresso_luogo:Genova/congresso_data:2005/anno:2005/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
Accession number :
edsair.cnr...........9ddf28528bdc0136a90d8f9cdb8c3bb0

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Authors Abstract Subjects Details