Back to Search
Start Over
Einsatz von Protonenbestrahlung in der Technologie der Leistungshalbleiter
- Source :
- Electrical Engineering (Archiv fur Elektrotechnik); March 1989, Vol. 72 Issue: 2 p133-140, 8p
- Publication Year :
- 1989
-
Abstract
- Übersicht Durch Protonenbestrahlung können Rekombinationszentren in Siliziumbauelementen in definierter Tiefe erzeugt werden. Dadurch ergibt sich ein neuer Freiheitsgrad für die Optimierung bipolarer Bauelemente. — Durch den Einsatz von Protonenbestrahlung können bei GTO-Thyristoren geringere Schaltverluste und bei Dioden günstigeres Kommutierungsverhalten erzielt werden. Falls die mit der Wasserstoffimplantation verbundene Bildung energetisch flacher Donatoren nicht zulässig ist, könnte stattdessen He-Bestrahlung eingesetzt werden.
Details
- Language :
- English
- ISSN :
- 09487921 and 14320487
- Volume :
- 72
- Issue :
- 2
- Database :
- Supplemental Index
- Journal :
- Electrical Engineering (Archiv fur Elektrotechnik)
- Publication Type :
- Periodical
- Accession number :
- ejs15510952
- Full Text :
- https://doi.org/10.1007/BF01573646