Mise en ?vidence des m?canismes d'injection de porteurs majoritaires ? l'interface semiconducteur/?lectrolyte

The semiconductor/electrolyte junction can be used in order to detect easily electron and/or hole injection processes related to chemical species bound to the crystal lattice. These phenomena take place when multielectronic electrochemical reactions occur at the interface, such as reductions (oxygen, hydrogen peroxide) or oxidations (photoanodic decomposition). In this paper a comparison between GaAs and InP has been analyzed. The parts played in the overall electrochemical process by reaction intermediates and surface films are discussed. La jonction semiconducteur/?lectrolyte est un syst?me permettant de d?tecter ais?ment les processus d'injection de charges associ?es ? des esp?ces chimiques en liaison avec le r?seau cristallin. Ces ph?nom?nes interviennent lors de r?actions ?lectrochimiques tr?s diverses, comme les r?actions de r?duction multi?lectroniques (oxyg?ne, eau oxyg?n?e) ou d'oxydation (d?composition des mat?riaux). Dans cet article, une comparaison entre InP et GaAs permet de discuter, dans le processus global, du r?le des interm?diaires r?actionnels et des films de surface.