重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究.

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于庆奎, et al. “重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究. (Chinese).” Atomic Energy Science & Technology, vol. 57, no. 12, Dec. 2023, pp. 2254–63. EBSCOhost, https://doi.org/10.7538/yzk.2023.youxian.0576.

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于庆奎, 曹爽, 张琛睿, 孙毅, 梅博, 王乾元, 王贺, 魏志超, 张洪伟, 张腾, & 柏松. (2023). 重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究. (Chinese). Atomic Energy Science & Technology, 57(12), 2254–2263. https://doi.org/10.7538/yzk.2023.youxian.0576

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于庆奎, 曹爽, 张琛睿, 孙毅, 梅博, 王乾元, 王贺, et al. 2023. “重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究. (Chinese).” Atomic Energy Science & Technology 57 (12): 2254–63. doi:10.7538/yzk.2023.youxian.0576.