Bindungseigenschaften lokaler Strukturmotive in amorphem GeTe.

Ungeachtet seiner einfachen Zusammensetzung und enormen technischen Wichtigkeit wirft das Phasenwechselmaterial Germaniumtellurid (GeTe) auch heute noch grundlegende Fragen auf. Insbesondere die Bindungsmechanismen in amorphem GeTe haben sich bislang einer schlüssigen Erklärung entzogen, da geeignete bindungsanalytische Hilfsmittel fehlten. Hier führen wir einen neuen Bindungsindikator für amorphe Strukturen ein, den wir als “bindungsgewichtete Verteilungsfunktion” (BWDF) bezeichnen, und wenden diese Methode auf amorphes GeTe an. Die Ergebnisse belegen, daß homopolare Ge ‐ Ge ‐ Bindungen darin eine besondere Rolle spielen: sie stabilisieren einzelne tetraedrische Fragmente, nicht aber das globale Netzwerk. Diese atomaufgelöste (d. h. chemische) Perspektive hat Bedeutung für die Langzeitstabilität amorpher “Null ‐ Bits” und damit für das technisch wichtige Phänomen der Widerstandsdrift. Amorph – kein Problem! Wie man eine Kristallstruktur in lokale Fragmente und kovalente Bindungen zerlegt, haben Chemiker lange perfektioniert. Mit neuen Hilfsmitteln läßt sich diese chemische Sprache auf amorphe Festkörpermaterialien erweitern – hier auf das Phasenwechsel ‐ Speichermaterial Germaniumtellurid. [ABSTRACT FROM AUTHOR]