Bildung von GaN-Schichten auf Saphir durch Niedertemperatur-Pufferschichten und Erzeugung von p-GaN durch Magnesium-Dotierung und Elektronenbeschuss (Nobel-Aufsatz).

Dieser Aufsatz ist eine persönliche Schilderung der Forschungsarbeiten, die zur Entwicklung einer Methode zur Kristallzüchtung von Galliumnitrid (GaN) auf einem Saphir-Substrat führten. Die Ergebnisse bereiteten den Weg für die Entwicklung von smarten Anzeigesystemen auf der Basis blauer LEDs. Die wichtigsten Arbeiten wurden Mitte bis Ende der 80er Jahre durchgeführt. Die Hintergründe der Arbeiten des Autors und die Ereignisse, die in der Technologie für die GaN-Züchtung und die Erzeugung von p-GaN resultierten, werden zusammengefasst. [ABSTRACT FROM AUTHOR]