1. Electron scattering on the short-range potential of the crystal lattice defects in ZnO
- Author
-
Malyk, O.P.
- Subjects
Electrons -- Scattering ,Crystals -- Structure ,Zinc oxide -- Atomic properties ,Phonons -- Properties ,Physics - Abstract
The processes of electron scattering on a short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, and neutral and ionized impurities in wurtzite n-ZnO with impurity concentration ~1 x [10.sup.17] [cm.sup.-3] are considered. The temperature dependences of electron mobility and Hall factor in the range 15/550 K are calculated. PACS Nos.: 72.10.-d, 72.10.Di, 72.10.Fk. Nous etudions ici la diffusion des electrons dans la wurtzite n-ZnO, par un potentiel a courte portee cause par l'interaction avec des phonons optiques polaires et non polaires, des phonons piezoelectriques et acoustiques, une deformation statique ou des impuretes neutres ou ionisees de concentration ~1 x [10.sup.17] [cm.sup.-3]. Nous calculons la dependance de la mobilite des electrons et du facteur de Hall sur la temperature dans le domaine 15/550 K. [Traduit par la Redaction], 1. Introduction Zinc oxide is a semiconducting material that finds a wide application in device structures; ZnO is very resistive to high-energy radiation making it a very suitable candidate for [...]
- Published
- 2014
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