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Kurzbeschreibung Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Oberflächendiffusion und Strukturbildung an Oberflächen, speziell im Fall Silber auf Silizium. Unterschiedliche Methoden werden kombiniert um Si(001) und Si(111) Oberflächen als auch dazwischen liegende Orientierungen zu untersuchen. niedrigenergetische Elektronenmikroskopie (LEEM) und photoemissions Elektronenmikroskopie (PEEM) wurden verwendet um die Wachstumsdynamik und den Einfluss von Oberflächendiffusion auf die Strukturbildung an Oberflächen unter Ultrahochvakuum (UHV) Bedingungen zu untersuchen. Es wurden ein- und multi-kristalline Ag Inseln und selbstorganisierte Ag Drähte auf unterschiedlichen Si Oberflächen untersucht. Hierfür wurde Ag bei hohen Temperaturen auf Oberflächen aufgebracht, wobei die meisten Untersuchungen in-situ erfolgten. Die Struktur der Ag Inseln und Drähte und deren Orientierung zum Substrat wurde hauptsächlich mit niederenergetischer Elektronenbeugung an kleinen Bereichen (µ-LEED), hochauflösender niederenergetischer Elektronenbeugung (SPA-LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) untersucht. Für die SEM Untersuchungen wurden die präparierten Proben aus dem UHV entnommen um sie in ein SEM zu transferieren und eine statistisch bessere Aussagekraft zu erreichen. Ag(001) und Ag(111) Inseln wurden bei Temperaturen von bis zu 700°C gewachsen. Mit steigender Wachstumstemperatur verändert sich die überwiegende Form der Inseln von hexagonal zu dreieckig. Die relative Drehung zum Substrat wurde Untersucht und mit einem modifizierten gitter-koinzidenz Modell (CSL) verglichen. Der Vergleich zeigt eine ausgesprochen gute Übereinstimmung der experimentellen Daten mit der Theorie, bei der praktisch alle Drehwinkel erklärt werden. Oberflächendiffusionsfelder wurden beim thermischen Zerfall und während der Desorption von Silberinseln untersucht. Um die Inseln bilden sich ein oder mehrere konzentrische rekonstruktionsbedingte Zonen. Ein einfaches kontinuum Diffusionsmodell zur Erklärung des Zerfallsmechanismus wird vorgestellt. Das Modell beinhaltet ein bereits zuvor präsentiertes Modell als einen Spezialfall und wurde in Zusammenarbeit mit J. Krug und I. Lohmar an der Universität zu Köln entwickelt. Unterschiedlichste Diffusionsparameter können mit diesem Modell bestimmt werden und stimmen sehr gut mit Literaturvergleichswerten überein. Der Zerfall der Inseln auf vizinalen Oberflächen kann nicht mehr mit diesem Modell erklärt werden, da eine Anisotropie auftritt, die die Rotationssymmetrie aufhebt. SPA-LEED Resultate zur Multistufenbildung und Facettierung sowie numerische Simulationen werden hinzugezogen und können mit Hilfe eines in der Literatur bekannten Modells praktisch alle experimentellen Daten erklären und so ein fast all-umfassendes Verständnis der Ursachen der Anisotropie erzeugen. Die Ergebnisse werden auch auf Ergebnisse zu Indium auf vizinalem Silizium angewendet und können auch hier die Überraschende Isotropie erklären. Außer den Inseln bilden sich auf Si(001) auch noch Drähte. Das Wachstum dieser Drähte wurde untersucht um eine Diskussion in der Literatur über die Ursache der Drahtbildung aufzuklären. Einkristalline Drähte wurden auf sehr genau orientiertem Si(001) und auf vizinalen Flächen präpariert. Alle Drähte orientieren sich entlang einer der beiden Hauptsymmetrierichtungen der Oberfläche. Ihr Wachstum ist thermisch aktiviert und erstaunlicherweise unabhängig von der Fehlneigung. Dennoch richten sich die Drähte mit zunehmender Fehlneigung und damit Stufendichte parallel zu den Stufenkanten aus. Die Resultate können jedoch die Diskussion ob Diffusionsanisotropie oder Verspannung die Ursache für das Drahtwachstum sind nicht aufklären, da diese zu stark ineinander überkoppeln. Dennoch kommen wir zu dem Entschluss, dass die Drahtausrichtung durch die zunehmende Diffusionsanisotropie verursacht wird. Description The present work deals with surface diffusion and structure formation, mainly for the case of Silver on Silicon surfac