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La recristallisation des couches de sulfure de cadmium evaporees, qui presente les caracteristiques d'une recristallisation secondaire, est fortement influencee par la presence de quantites minimes d'impuretes a des concentrations de dopage du semi-conducteur (4 × 10−3 at%). Le rǒle activateur ou inhibiteur de ces impuretes correspond au rǒle accepteur ou donneur des centres qu'elles creent. La recristallisation ne depend pas de la formation d'une seconde phase riche en impuretes. Des micrographies electroniques du front de recristallisation ont ete obtenues et montrent que la region recristallisee ne contient pas d'inhomogeneites mais bien quelques sous-grains legerement desorientes. Une explication est avancee d'apres laquelle le moteur de la recristallisation serait l'augmentation d'energie de surface des grains due a la recombinaison des lacunes de soufre ionisees et des impuretes acceptrices.

Das Ergebnis vonNowotny undHalla 1, das FeO bereits bei 200° C zerfallt, wird gegenuber der gegenteiligen Angabe vonChaudron undBenard 2 durch neuerliche Versuche gestutzt.