Author: "Turban, Pascal" - Searchworks@Jio Institute Digital Library Search Results

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147 results on '"Turban, Pascal"'

1. Bilayer orthogonal ferromagnetism in CrTe$_2$-based van der Waals system

Author: Bigi, Chiara, Jego, Cyriack, Polewczyk, Vincent, De Vita, Alessandro, Jaouen, Thomas, Tchouekem, Hulerich C., Bertran, François, Fèvre, Patrick Le, Turban, Pascal, Jacquot, Jean-François, Miwa, Jill A., Clark, Oliver J., Jana, Anupam, Chaluvadi, Sandeep Kumar, Orgiani, Pasquale, Cuoco, Mario, Leandersson, Mats, Balasubramanian, Thiagarajan, Olsen, Thomas, Hwang, Younghun, Jamet, Matthieu, and Mazzola, Federico
Subjects: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Condensed Matter - Materials Science
Abstract: Systems with pronounced spin anisotropy play a pivotal role in advancing magnetization switching and spin-wave generation mechanisms, which are fundamental for spintronic technologies. Quasi-van der Waals ferromagnets, particularly Cr$_{1+\delta}$Te$_2$ compounds, represent seminal materials in this field, renowned for their delicate balance between frustrated layered geometries and magnetism. Despite extensive investigation, the precise nature of their magnetic ground state, typically described as a canted ferromagnet, remains contested, as does the mechanism governing spin reorientation under external magnetic fields and varying temperatures. In this work, we leverage a multimodal approach, integrating complementary techniques, to reveal that Cr$_{1+\delta}$Te$_2$ ($\delta = 0.25 - 0.50$) hosts a previously overlooked magnetic phase, which we term orthogonal-ferromagnetism. This single phase consists of alternating atomically sharp single layers of in-plane and out-of-plane ferromagnetic blocks, coupled via exchange interactions and as such, it differs significantly from crossed magnetism, which can be achieved exclusively by stacking multiple heterostructural elements together. Contrary to earlier reports suggesting a gradual spin reorientation in CrTe$_2$-based systems, we present definitive evidence of abrupt spin-flop-like transitions. This discovery, likely due to the improved crystallinity and lower defect density in our samples, repositions Cr$_{1+\delta}$Te$_2$ compounds as promising candidates for spintronic and orbitronic applications, opening new pathways for device engineering.
Published: 2024

2. Pomeranchuk instability from electronic correlations in CsTi$_3$Bi$_5$ kagome metal

Author: Bigi, Chiara, Dürrnagel, Matteo, Klebl, Lennart, Consiglio, Armando, Pokharel, Ganesh, Bertran, Francois, Févre, Patrick Le, Jaouen, Thomas, Tchouekem, Hulerich C., Turban, Pascal, De Vita, Alessandro, Miwa, Jill A., Wells, Justin W., Oh, Dongjin, Comin, Riccardo, Thomale, Ronny, Zeljkovic, Ilija, Ortiz, Brenden R., Wilson, Stephen D., Sangiovanni, Giorgio, Mazzola, Federico, and Di Sante, Domenico
Subjects: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Condensed Matter - Materials Science
Abstract: Among many-body instabilities in correlated quantum systems, electronic nematicity, defined by the spontaneous breaking of rotational symmetry, has emerged as a critical phenomenon, particularly within high-temperature superconductors. Recently, this behavior has been identified in CsTi$_3$Bi$_5$, a member of the AV$_3$Sb$_5$ (A = K, Rb, Cs) kagome family, recognized for its intricate and unconventional quantum phases. Despite accumulating indirect evidence, the fundamental mechanisms driving nematicity in CsTi$_3$Bi$_5$ remain inadequately understood, sparking ongoing debates. In this study, we employ polarization-dependent angle-resolved photoemission spectroscopy to reveal definitive signatures of an orbital-selective nematic deformation in the electronic structure of CsTi$_3$Bi$_5$. This direct experimental evidence underscores the pivotal role of orbital degrees of freedom in symmetry breaking, providing new insights into the complex electronic environment. By applying the functional renormalization group technique to a fully interacting ab initio model, we demonstrate the emergence of a finite angular momentum ($d$-wave) Pomeranchuk instability in CsTi$_3$Bi$_5$, driven by the concomitant action of electronic correlations within specific orbital channels and chemical potential detuning away from Van Hove singularities. By elucidating the connection between orbital correlations and symmetry-breaking instabilities, this work lays a crucial foundation for future investigations into the broader role of orbital selectivity in quantum materials, with far-reaching implications for the design and manipulation of novel electronic phases.
Published: 2024

3. Enhanced piezoelectricity in lead-free halide perovskite nanocomposite for self-powered wireless electronics

Author: Rana, Md Masud, Khan, Asif Abdullah, Zhu, Weiguang, Fattah, Md Fahim Al, Kokilathasan, Sathursan, Rassel, Shazzad, Bernard, Rozenn, Ababou-Girard, Soraya, Turban, Pascal, Xu, Shuhong, Wang, Chunlei, and Ban, Dayan
Published: 2022
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4. Quantitative magnetic imaging at the nanometer scale by ballistic electron magnetic microscopy

Author: Hervé, Marie, Tricot, Sylvain, Guézo, Sophie, Delhaye, Gabriel, Lépine, Bruno, Schieffer, Philippe, and Turban, Pascal
Subjects: Condensed Matter - Materials Science
Abstract: We demonstrate quantitative ballistic electron magnetic microscopy (BEMM) imaging of simple model Fe(001) nanostructures. We use in situ nanostencil shadow mask resistless patterning combined with molecular beam epitaxy deposition to prepare under ultra-high vacuum conditions nanostructured epitaxial Fe/Au/Fe/GaAs(001) spin-valves. In this epitaxial system, the magnetization of the bottom Fe/GaAs(001) electrode is parallel to the [110] direction, defining accurately the analysis direction for the BEMM experiments. The large hot-electron magnetoresistance of the Fe/Au/Fe/GaAs(001) epitaxial spin-valve allows us to image various stable magnetic configurations on the as-grown Fe(001) microstructures with a high sensitivity, even for small misalignments of both magnetic electrodes. The angular dependence of the hot-electron magnetocurrent is used to convert magnetization maps calculated by micromagnetic simulations into simulated BEMM images. The calculated BEMM images and magnetization rotation profiles show quantitative agreement with experiments and allow us to investigate the magnetic phase diagram of these model Fe(001) microstructures. Finally, magnetic domain reversals are observed under high current density pulses. This opens the way for further BEMM investigations of current-induced magnetization dynamics.
Published: 2013
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5. Study of MoS2 Deposited by ALD on c-Si, Towards the Development of MoS2/c-Si Heterojunction Photovoltaics

Author: Zerbo, Bienlo Flora, primary, Modreanu, Mircea, additional, Povey, Ian, additional, Lin, Jun, additional, Létoublon, Antoine, additional, Rolland, Alain, additional, Pédesseau, Laurent, additional, Even, Jacky, additional, Lépine, Bruno, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, Moréac, Alain, additional, and Durand, Olivier, additional
Published: 2022
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6. Growth and multi-scale properties of hybrid magnetic tunnel junctions: towards the control of spinterfaces

Author: Sadeghiyan Dehaghani, Maryam, Guézo, Sophie, Tricot, Sylvain, Ababou-Girard, Soraya, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Solal, F., Institut de Physique de Rennes (IPR), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], molecular spintronics, spin valve, spinterfaces, molecular magnetic tunnel junctions (MTJs), Spintronics
Abstract: International audience; In the field of spintronics, there are many reasons to use molecular tunnel barriers in devices such as low cost, flexibility and long spin life time in organic materials [1, 2]. What happens at the interfaces in these organic-inorganic hybrid systems is so relevant to the properties that a word has been proposed for it: spinterface [3]. The discrete nature of the molecular levels explains the variation of the magneto-transport properties with respect to the type of molecules and the nature of the interfaces [4]. To investigate such spinterface issues there is a need for very well-defined interfaces, which can be obtained in ultra-high vacuum conditions (UHV).The aim of this work is to realize model hybrid hetero-structures with a molecular monolayer as tunnel barrier between two ferromagnetic layers (spin valve). Modifying the way molecules are linked to the substrate, the crystallographic orientation of the substrate and the nature of the molecules are possible ways to modify the system spinterfaces. In this study, the grafting under UHV of the molecular layer (1-hexadecanethiol molecules, noted C16MT) on epitaxial ferromagnetic Fe (001) electrodes has been studied using scanning tunneling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). To avoid the formation of pinholes during deposition of the Co ferromagnetic top electrode of the spin-valve, an original soft-landing technique has been used, based on the condensation at low temperature of a Xe layer on the self-assembled monolayer before metal deposition. The electrical homogeneity of the obtained junctions has been controlled from the micro to the nanoscale by Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM) [5]. Investigation of the magnetotransport properties of these model spin- valves is in progress and will be confronted to the precise analysis of the system bottom spinterface by spin-resolved IPES (Inverse PhotoEmission Spectroscopy).References:[1] J. R. Petta, S. K. Slater, et al., Physical Review Letters, 93, 136601, 2004. [2] S. Sanvito, Chemical Society Reviews, 40, 3336-3355, 2011.[3] S. Sanvito, Natur Physics, 6, 562-564, 2010.[4] M. Galbiati, S. Tatay, et al., Applied Physics Letters, 106, 082408, 2015. [5] A. Junay, S. Guézo, et al., Journal of Applied Physics, 118, 085310, 2015.
Published: 2022

7. Ultrafast nonlinear optical properties of bundles of carbon nanotubes

Author: Gicquel-Guézo, Maud, Dappe, Yannick J., Turban, Pascal, Moréac, Alain, Nong, Hanond, and Loualiche, Slimane
Published: 2011
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8. Poly(vinylidene fluoride)-Stabilized Black γ-Phase CsPbI3 Perovskite for High-Performance Piezoelectric Nanogenerators

Author: Zhu, Weiguang, primary, Khan, Asif Abdullah, additional, Rana, Md Masud, additional, Gautheron-Bernard, Rozenn, additional, Tanguy, Nicolas R., additional, Yan, Ning, additional, Turban, Pascal, additional, Ababou-Girard, Soraya, additional, and Ban, Dayan, additional
Published: 2022
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9. Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Patriarche, Gilles, Léger, Yoan, Beck, Alexandre, Ponchet, Anne, Skibitzki, Oliver, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), and ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience; L’intégration monolithique de semi-conducteurs III-V sur substrat de Si a de nombreux avantages dans le domaine de la photonique, de l’électronique, ou de l’énergie. Dans cet exposé, nous montrerons tout d’abord le rôle fondamental des surfaces et interfaces et de leur structure atomique lors de la croissance III-V sur Si. Nous montrerons ensuite que les parois d’antiphase créées lors de la croissance cristalline se comportent comme des singularités 2D avec des propriétés de confinement de porteurs et de phonons originales. Enfin, nous montrerons comment ces singularités peuvent dans certains cas se comporter comme des inclusions semi-métalliques, et comment il est possible de s’en servir pour la production d’hydrogène solaire.
Published: 2022

10. Hybrid ambipolar 2D semimetal/semiconductor III-V/Si heterostructures: Promises for photonics, energy harvesting and electronics

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Rodriguez, Jean-Baptiste, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Cerutti, Laurent, Patriarche, Gilles, Léger, Yoan, Beck, Alexandre, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Tournié, Eric, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Photonique et Ondes (PO), The authors acknowledge the French National Research Agency for funding through the ANR project PIANIST (ANR-21-CE09-0020), the French program on Investment for the Future (ANR-11-EQPX-0016), Rennes Métropole through the 'REMOTE' project and the H2020 program of the European Union (GA 780240). This work received support from the RENATECH network for part of the transmission electron microscopy studies and within NanoRennes for technological support. DFT calculations were performed at Institut FOTON and the work was granted access to the HPC resources of TGCC/CINES/IDRIS under the allocation 2020-A0080911434 and 2021-A0100911434 made by GENCI, VEBLEO international organization, ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), and ANR-11-EQPX-0016,EXTRA,Centre d'Excellence sur les Antimoniures(2011)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

11. III-V/Si photoelectrodes with ambipolar properties

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

12. Is a substrate miscut really required for high quality III-V/Si monolithic integration?

Author: Cornet, Charles, Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Léger, Yoan, Bahri, Mounib, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Ponchet, Anne, Turban, Pascal, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Renatech, ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

13. III-V/Si antiphase boundaries used as 2D-semimetallic topological vertical inclusions for solar hydrogen production

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Renatech +, Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Cornet, Charles
Subjects: [CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2021

14. Robust 2D semimetallic inclusions boost performances of III-V/Si heterostructures for water-splitting

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

15. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D‐Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties

Author: Chen, Lipin, primary, Léger, Yoan, additional, Loget, Gabriel, additional, Piriyev, Mekan, additional, Jadli, Imen, additional, Tricot, Sylvain, additional, Rohel, Tony, additional, Bernard, Rozenn, additional, Beck, Alexandre, additional, Le Pouliquen, Julie, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, Levallois, Christophe, additional, Fabre, Bruno, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Even, Jacky, additional, Bertru, Nicolas, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2021
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16. Scanning tunneling microscopy investigations of electropolymerized tetra-arylporphyrin complexes

Author: Drouet, Samuel, Ballut, Séverine, Rault-Berthelot, Joëlle, Turban, Pascal, and Paul-Roth, Christine
Published: 2009
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17. Optical and structural characterization of thin MoS2 layers on SiO2/Si substrates, towards the development of MoS2/Si heterojunction photovoltaics

Author: Zerbo, Bienlo, primary, Modreanu, Mircea, additional, Povey, Ian, additional, Letoublon, Antoine, additional, Rolland, Alain, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Even, Jacky, additional, Lepine, Bruno, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, Moreac, Alain, additional, and Durand, Olivier, additional
Published: 2021
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18. Theoretical and experimental studies of (In,Ga)As/GaP quantum dots

Author: Robert, Cedric, Thanh, Tra Nguyen, Cornet, Charles, Turban, Pascal, Perrin, Mathieu, Balocchi, Andrea, Folliot, Herve, Bertru, Nicolas, Pedesseau, Laurent, Nestoklon, Mikhail O, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Tricot, Sylvain, Durand, Olivier, Marie, Xavier, and Le Corre, Alain
Published: 2012
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19. Propriétés physico-chimiques et propriétés électroniques de pérovskite 2D Ca2Nb3O10 à haute permittivité diélectrique déposée sur silicium

Author: Glavina, Haley, Baudouin, Florent, Alix, Aude, Lépine, Bruno, Le Breton, Jean-Christophe, Schieffer, Philippe, Turban, Pascal, Demange, Valerie, Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience
Published: 2020

20. Microscopie à émission d’électrons balistiques : le transport d’électrons chauds comme sonde des propriétés électroniques locales aux interfaces

Author: Guézo, Sophie, Hervé, Marie, Junay, Alexandra, Solal, F., Lépine, Bruno, Delhaye, Gabriel, Tricot, Sylvain, Schieffer, Philippe, Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Turban, Pascal
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience; La microscopie à émission d’électrons balistiques (BEEM en anglais) est une technique dérivée du STM permettant de sonder les propriétés électroniques locales aux interfaces d’hétérostructures variées. Dans une expérience BEEM la pointe STM est utilisée comme source ponctuelle d’électrons chauds d’énergie variable. On mesure en face arrière de l’échantillon le courant d’électrons balistiques ayant traversé les différentes couches et interfaces de l’hétérostructure. Dans cette communication, j’illustrerai l’intérêt du BEEM pour sonder les propriétés électroniques auxs interfaces à travers quelques exemples d’études d’hétérostructures sur semiconducteurs III-V :(i)Pour de simples contacts Schottky monocristallins, la continuité structurale de l’échantillon implique la conservation de la composante transverse k// du vecteur d’onde électronique à la traversée de l’interface métal/semiconducteur. Cette sélection en k// confère au BEEM une bonne sensibilité à la structure électronique locale de l’interface métal/semiconducteur [1].(ii)Pour des tricouches Fe/Au/Fe/GaAs(001), le courant d’électrons balistiques mesuré est fortement modulé par le phénomène de magnétorésistance géante à la traversée de la vanne de spin permettant l’imagerie de domaines magnétiques présents localement dans les électrodes de fer avec un fort contraste et une résolution latérale nanométrique [2,3].(iii)Pour des hétérostructures hybrides métal/molécules/GaAs(001), le BEEM permet de déterminer les alignements de bandes aux interfaces et d’étudier la formation de pinholes par diffusion du métal à travers le peigne moléculaire [4,5].References[1] S. Guézo, P. Turban, S. Di Matteo, P. Schieffer, S. Le Gall, B. Lépine, C. Lallaizon, G. Jézéquel. Physical Review B 81, 085319 (2010).[2] M. Hervé, S. Tricot, Y. Claveau, G. Delhaye, B. Lépine, S. Di Matteo, P. Schieffer, P. Turban, Applied Physics Letters 103, 202408 (2013).[3] M. Hervé, S. Tricot, S. Guézo, G. Delhaye, B. Lépine, P. Schieffer, P. Turban, Journal of Applied Physics 113, 233909, (2013).[4] A. Junay, S. Guézo, P. Turban, G. Delhaye, B. Lépine, S. Tricot, S. Ababou-Girard, F. Solal, Journal of Applied Physics 118, 085310 (2015).[5] A. Junay, S. Guézo, P. Turban, S. Tricot, A. Le Pottier, J. Avila, S. Ababou-Girard, P. Schieffer, F. Solal, Journal of Physical Chemistry C 120, 24056 (2016).
Published: 2019

21. Study of MoS 2 Deposited by ALD on c-Si, Towards the Development of MoS 2 /c-Si Heterojunction Photovoltaics.

Author: Zerbo, Bienlo Flora, Modreanu, Mircea, Povey, Ian, Lin, Jun, Létoublon, Antoine, Rolland, Alain, Pédesseau, Laurent, Even, Jacky, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Moréac, Alain, and Durand, Olivier
Subjects: SOLAR cells, HETEROJUNCTIONS, PHOTOVOLTAIC power generation, PHOTOVOLTAIC power systems, QUANTUM efficiency, MOLYBDENUM disulfide, ELLIPSOMETRY
Abstract: Silicon-based heterojunction (SHJ) solar cells demonstrate high efficiencies over their homojunction counterparts, revealing the potential of such technologies. We present here the first steps towards the development of molybdenum disulfide (MoS2)/c-silicon heterojunction solar cells, consisting of a preliminary study of the MoS2 material and numerical device simulations of MoS2/Si heterojunction solar cells, using SILVACO ATLAS. Through the optical and structural characterization of MoS2/SiO2/Si samples, we found a significant sensitivity of the MoS2 to ambient oxidation. Optical ellipsometry showed a bandgap of 1.87 eV for a 7 monolayer thick MoS2 sample, suitable for the targeted application. Finally, we briefly introduce a device simulation and show that the MoS2/Si heterojunction could lead to a gain in quantum efficiency, especially in the region with short wavelengths, compared with a standard a-Si/c-Si solar cell. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2022
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22. Achieving Ultrahigh Piezoelectricity in Organic–Inorganic Vacancy-Ordered Halide Double Perovskites for Mechanical Energy Harvesting

Author: Huang, Guangguang, primary, Khan, Asif Abdullah, additional, Rana, Md Masud, additional, Xu, Chao, additional, Xu, Shuhong, additional, Saritas, Resul, additional, Zhang, Steven, additional, Abdel-Rahmand, Eihab, additional, Turban, Pascal, additional, Ababou-Girard, Soraya, additional, Wang, Chunlei, additional, and Ban, Dayan, additional
Published: 2020
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23. [Invited Seminar] Ballistic Electron-Emission Microscopy (BEEM) : from the local electronic properties to magnetic imaging

Author: Turban, Pascal, Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], Condensed Matter::Materials Science, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience; Ballistic electron-emission microscopy (BEEM) is an experimental technique measuring the electron current which, injected from the tip of a scanning tunneling microscope (STM) into a thin metallic overlayer, travels through an underlying metal-semiconductor (MS) interface and is finally collected in the semiconductor substrate. Since its discovery, the main applications of BEEM were focused on the study of Schottky-barrier heights and of electron transport across MS interfaces, with a nanometer lateral resolution. Given the current trend in the development of electronic devices at the nanometer scale, these properties make the BEEM technique a powerful tool for the characterization and the control of MS heterostructures. In this talk, I will illustrate some specific potentialities of BEEM for the study of ultrathin metallic films and nanostructures epitaxially grown on III-V semiconductors : •For simple single-crystalline Schottky contacts, the structural continuity at the epitaxial interface results in the conservation of the electron transverse momentum k// at the MS interface. Due to this transverse momentum conservation rule, BEEM is highly sensitive to the local MS interface electronic structure.•For Fe/Au/Fe/GaAs(001) epitaxial spin-valves, the measured hot-electron current is strongly modulated by the application of an external magnetic field. This magnetoresistance amplitude reaches 500% at room-temperature and can be explained by taking into account the previous electronic selection rules at each interface of the heterostructure for both up and down spin channels. •Finally, the huge magnetoresistance amplitude achieved in these spin-valves allows the observation of magnetic domains in the Fe electrodes. The performances of BEEM as a magnetic imaging technique with strong contrast and subnanometer lateral resolution are demonstrated on patterned sub-micronic Fe/Au/Fe(001) spin-valves.
Published: 2019

24. Poly(vinylidene fluoride)-Stabilized Black γ-Phase CsPbI3 Perovskite for High-Performance Piezoelectric Nanogenerators.

Author: Weiguang Zhu, Khan, Asif Abdullah, Rana, Md Masud, Gautheron-Bernard, Rozenn, Tanguy, Nicolas R., Ning Yan, Turban, Pascal, Ababou-Girard, Soraya, and Dayan Ban
Published: 2022
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25. Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM) as a local probe of local energy band alignments of Co/organic monolayer/GaAs(001)

Author: Sadeghiyan Dehaghani, Maryam, Guézo, Sophie, Junay, Alexandra, Turban, Pascal, Lépine, Bruno, Delhaye, Gabriel, Tricot, Sylvain, Le Pottier, Arnaud, Ababou-Girard, Soraya, Solal, F., Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and INSP-Paris
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2020

26. Silicon Band Engineering with 2D materials

Author: jules, courtin, Le Gall, Sylvain, Chrétien, Pascal, Delhaye, Gabriel, Turban, Pascal, Tricot, Sylvain, Lépine, Bruno, Schieffer, Philippe, Le Breton, Jean-Christophe, Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-CentraleSupélec-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Le Breton, Jean-Christophe
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience
Published: 2019

27. Tuning the Schottky barrier height at metal/solid 2D/Si heterostructure

Author: jules, courtin, Le Gall, Sylvain, Chrétien, Pascal, Delhaye, Gabriel, Turban, Pascal, Tricot, Sylvain, Lépine, Bruno, Schieffer, Philippe, Le Breton, Jean-Christophe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-CentraleSupélec-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Courtin, Jules
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2019

28. Solar Water Splitting: surface energy engineering of GaP Template on Si

Author: Pedesseau, Laurent, Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, Vallet, Maxime, Ponchet, Anne, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

29. A universal mechanism to describe III-V epitaxy on Si

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Pedesseau, Laurent, Vallet, Maxime, Cerutti, Laurent, Rodriguez, Jean-Baptiste, Tournié, Eric, Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Turban, Pascal, Ponchet, Anne, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Région Bretagne, HPC resources of CINES under the allocation 2016-[x2016096724] made by GENCI (Grand Equipement National de Calcul Intensif)., ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS)
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

30. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D‐Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties.

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Subjects: HETEROSTRUCTURES, CHARGE carriers, MECHANICAL properties of condensed matter, MATERIALS management, TOPOLOGICAL property, ENERGY harvesting, HETEROJUNCTIONS, PHOTOCATHODES
Abstract: Hybrid materials taking advantage of the different physical properties of materials are highly attractive for numerous applications in today's science and technology. Here, it is demonstrated that epitaxial bi‐domain III–V/Si are hybrid structures, composed of bulk photo‐active semiconductors with 2D topological semi‐metallic vertical inclusions, endowed with ambipolar properties. By combining structural, transport, and photoelectrochemical characterizations with first‐principle calculations, it is shown that the bi‐domain III–V/Si materials are able within the same layer to absorb light efficiently, separate laterally the photo‐generated carriers, transfer them to semimetal singularities, and ease extraction of both electrons and holes vertically, leading to efficient carrier collection. Besides, the original topological properties of the 2D semi‐metallic inclusions are also discussed. This comb‐like heterostructure not only merges the superior optical properties of semiconductors with good transport properties of metallic materials, but also combines the high efficiency and tunability afforded by III–V inorganic bulk materials with the flexible management of nano‐scale charge carriers usually offered by blends of organic materials. Physical properties of these novel hybrid heterostructures can be of great interest for energy harvesting, photonic, electronic or computing devices. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2022
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31. Imaging and probing local energy band alignments of organic/inorganic interfaces by Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM)

Author: Junay, Alexandra, Guézo, Sophie, Turban, Pascal, Lépine, Bruno, Delhaye, Gabriel, Tricot, Sylvain, Le Pottier, Arnaud, Ababou-Girard, Soraya, Solal, F., Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and IJL Nancy
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2019

32. Metal/2D Solid/Si study for spintronic application

Author: Jules, Courtin, Tricot, Sylvain, Moréac, Alain, Delhaye, Gabriel, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Le Breton, Jean-Christophe, Courtin, Jules, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience
Published: 2019

33. Large scale textured GaP(114) growth on vicinal Si substrate by Molecular Beam Epitaxy for water splitting applications

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Vallet, Maxime, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Patriarche, Gilles, Ponchet, Anne, Pedesseau, Laurent, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Abstract: International audience; Solar photoelectrochemical (PEC) water-splitting devices have been studied for decades with the aim to convert and store the solar energy into clean hydrogen fuels. Recently GaP-based PEC devices have been proposed, because of the adapted GaP bandgap (2.25eV). Moreover, surface texturation at the electrode level has been investigated to optimize the PEC devices efficiency. In this work, we present a large scale stress-free GaP textured surface grown by Molecular Beam Epitaxy on vicinal Si substrate. We then explain the GaP{114} facets stability by density functional theory, we finally present the advantages of using this textured surface, in water splitting applications.
Published: 2018

34. Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM): a local and quantitative probe to study the quality of Au/hexadecanethiols/GaAs(001) heterostructures by imaging buried interfaces and drawing local energy band alignments

Author: Junay, Alexandra, Guézo, Sophie, Turban, Pascal, Lépine, Bruno, Delhaye, Gabriel, Tricot, Sylvain, Ababou-Girard, Soraya, Solal, F., Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut de Physique de Rennes
Subjects: interfaces, [PHYS]Physics [physics], BEEM, hybrid orgnaic-inorganic heterostructures, electronic properties, multi-scale electronic transport, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2018

35. Scanning tunneling microscopy investigation of GaP epitaxial growth on nominal and vicinal Si(001) substrates for optoelectronic applications

Author: Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Gangopadhyay, Subhashis, Wang, Yanping, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Raffy, Guillaume, Létoublon, Antoine, Cornet, C., Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Birla Institute of Technology and Science (BITS Pilani), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2018

36. Nano Beam X-ray Scattering on GaP/Si for III-V Monolithic Integration on Silicon

Author: Zhou, Ang, Wang, Yanping, Létoublon, Antoine, Lucci, Ida, Cornet, Charles, Favre-Nicolin, Vincent, Chahine, Gilbert, Eymery, Joel, Léger, Yoan, Bahri, Mouib, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Pedesseau, Laurent, Turban, Pascal, Charbonnier, Simon, Schulli, Tobias, Durand, Olivier, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (NRS ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Centre de Nanosciences et Nanotechnologies (C2N (UMR_9001)), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2018

37. Fe/SrTiO3(001) interface : electron accumulation layer and Schottky barrier

Author: Catrou, Pierre, Charbonnier, Simon, Delhaye, Gabriel, Le Breton, Jean-Christophe, Tricot, Sylvain, Turban, Pascal, Lépine, Bruno, Schieffer, Philippe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lépine, Bruno, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience
Published: 2018

38. XPS as an effective method to study the band alignement in Fe/2D Solid/Silicon heterostructure

Author: Jules, Courtin, Tricot, Sylvain, Delhaye, Gabriel, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Le Breton, Jean-Christophe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Courtin, Jules, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience
Published: 2018

39. The use of NiMnSb Heusler alloy in MBE Grown Tunnel Junction

Author: Turban, Pascal, Andrieu, Stéphane, Tagliaferri, Alberto, De Nadai, Céline, and Brookes, Nike
Published: 2001
Full Text: View/download PDF

40. Stress relaxation during two-dimensional pseudomorphic epitaxial growth of metals

Author: Andrieu, Stéphane, Turban, Pascal, Lapena, Laurent, and Muller, Pierre
Published: 2001
Full Text: View/download PDF

41. [Invited Seminar] Croissance, propriétés électroniques et de transport multi-échelles de barrières tunnel organiques d’alcane-thiols greffées sur GaAs(001)

Author: Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine, Université Parais Saclay, Turban, Pascal, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience; L’intégration de barrières tunnel à base de monocouches organiques dans des dispositifs fonctionnels se heurte au problème général de la prise de contact supérieur. La diffusion du métal de l’électrode supérieure à travers le peigne moléculaire conduit en effet fréquemment à des jonctions fragiles, voire systématiquement court-circuitées. Je présenterai dans cet exposé une étude des propriétés électroniques et de transport de jonctions tunnel hybrides de type Au/alcane-thiols/GaAs(001), préparées en environnement ultravide. L’homogénéité des jonctions obtenues a été étudiée à l’échelle nanométrique par Microscopie à Emission d’Electrons Balistiques (BEEM), en fonction des paramètres de croissance tels que l’épaisseur d’or déposée, la longueur de chaine et la fonction terminale des molécules organiques. La structure électronique de l’hétérostructure (alignements de bandes) a pu également être déterminée localement par spectroscopie BEEM dans les zones court-circuitées et non-court-circuitées. Finalement, une méthode originale de croissance de l’électrode d’or (dite de « soft landing ») a été développée par dépôt à froid du métal sur une glace de Xenon condensée à 20K sur le peigne moléculaire. Cette méthode conduit à la formation de barrières tunnel moléculaires homogènes à l’échelle d’investigation du BEEM. Des mesures de transport (J(V) et C(V)), ainsi que des mesures de photoémission par rayonnement synchrotron confirment le caractère homogène à l’échelle macroscopique des jonctions optimisées. En particulier, les hauteurs de barrière obtenues par ces mesures intégrées spatialement sont en accord avec celles déterminées localement par BEEM. Cette étude valide le « soft landing » comme une méthode générale de préparation de jonctions tunnel hybrides fiables et reproductibles.
Published: 2016

42. [Invited Seminar] Matière vue du ciel : quelques progrès en microscopie tunnel

Author: Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IPR, Université Rennes 1, Turban, Pascal, Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Lorraine
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience; Les propriétés d’un matériau dépendent étroitement de sa structure volumique, défauts compris. Si elles ont été longtemps négligées, les propriétés spécifiques de surface sont aujourd’hui un champ d’investigation à part entière. La surface est en effet le lieu d’échange entre le matériau considéré et son environnement. Par ailleurs, la rupture de la symétrie de translation au voisinage de la surface peut modifier drastiquement la structure atomique et électronique locale du matériau par rapport au volume sous-jacent : « Dieu a créé le volume, le diable la surface » selon la célèbre formule de Wolfgang Pauli. Finalement, la course actuelle vers la réalisation de structures et composants de taille nanométrique confère aux surfaces une importance cruciale. Une nanostructure comportant 1000 atomes a en effet de l’ordre de la moitié de ses atomes localisés en surface…En permettant, au cours des années 1960-1970 l’étude des premières surfaces modèles par diffraction et spectroscopies électroniques, les technologies de l’ultra-vide ont ouvert la voie aux développements modernes de la Physique des surfaces. L’invention de la microscopie à effet tunnel (STM) en 1982 est une seconde révolution, permettant l’observation directe de la surface de la matière à l’échelle atomique. Dans cet exposé, j’illustrerai l’importance de l’apport du STM à la physique des surfaces. Je montrerai en particulier que les nombreux modes originaux d’acquisition développés depuis 1982 permettent aujourd’hui, bien au-delà de la seule information structurale, de caractériser les propriétés électroniques, magnétiques et dynamiques de la matière à l’échelle atomique.
Published: 2016

43. Effect of oxygen vacancies at the Fe/SrTiO3(001) interface Schottky barrier and surface electron accumulation layer

Author: Catrou, Pierre, Tricot, Sylvain, Delhaye, Gabriel, Le Breton, Jean-Christophe, Turban, Pascal, Lépine, B., Schieffer, Philippe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Union through the European Regional Development Fund (ERDF), French region of Brittany, French departmental Council of Ille Vilaine, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics]
Abstract: International audience; We have investigated the interface formation at room temperature between Fe and TiO2-terminated SrTiO3(001) surface using x-ray photoelectron spectroscopy. Oxygen vacancies within the SrTiO3 lattice in the first planes beneath the Fe/SrTiO3 interface are induced by the Fe deposition. Through a detailed analysis of the Fe 2p, Sr 3d, and Ti 2p core-level line shapes we propose a quantitative description of the impact of the vacancies on the electronic properties of the Fe/SrTiO3 system. While for an abrupt Fe/SrTiO3 junction the Schottky barrier height for electrons is expected to be about 1 eV, we find that the presence of oxygen vacancies leads to a much lower barrier height value of 0.05 eV. The deposition of a fraction of Fe monolayer also pushes the surface conduction band edge of the SrTiO3 below the Fermi level in favor of the formation of a surface electron accumulation layer. This change in the band bending stems from the incorporation of oxygen vacancies in the near-surface region of SrTiO3 (001). We deduce the conduction band profile as well as the carrier density in the accumulation layer as a function of the surface potential by solving the one-dimensional Poisson equation within the modified Thomas-Fermi approximation. Owing to the electric-field dependence of the dielectric permittivity, the SrTiO3 with oxygen vacancies at the surface shows original electronic properties. In particular, our simulations reveal that variations of a few percent of the vacancies concentration at the surface can cause changes of several tenths of an eV in the band bending that can lead to important lateral surface inhomogeneities for the potential. We also find through our modeling that the defect states density related to oxygen vacancies at the SrTiO3 surface cannot exceed, at room temperature, a critical value of similar to 8 x 10(13) /cm(2).
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

44. GaP/Si(001) polar-on-nonpolar epitaxial growth revisited by scanning tunneling microscopy

Author: Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Gangopadhyay, Subhashis, Wang, Yanping, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Pedesseau, Laurent, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Turban, Pascal, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Birla Institute of Technology and Science (BITS Pilani), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2017

45. Study of the 3D growth mode of III-V on Si by DFT

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Wang, Yanping, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Pedesseau, Laurent, Turban, Pascal, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2017

46. Reduction of Silicon Schottky Barrier Height by Hexagonal Boron Nitride Monolayer In Fe/hBN/Si junctions

Author: Le Breton, Jean-Christophe, Tricot, Sylvain, Delhaye, Gabriel, Lépine, Bruno, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Le Breton, Jean-Christophe
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-GEN] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other], [PHYS.COND.CM-GEN]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: National audience
Published: 2017

47. Ultrathin Fe films on SrTiO3(001): growth, interfacial interaction and electronic structure

Author: Catrou, Pierre, Delhaye, Gabriel, Le Breton, Jean-Christophe, Tricot, Sylvain, Turban, Pascal, Lépine, Bruno, Schieffer, Philippe, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lépine, Bruno, and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience
Published: 2017

48. III-V/Si 3D crystal growth: a thermodynamic description

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Vallet, Maxime, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Ponchet, Anne, Durand, Olivier, Pedesseau, Laurent, Rodriguez, Jean-Baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice, Turban, Pascal, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2017

49. Red-NIR luminescence of Mo6 monolayered assembly directly anchored on Au(001)

Author: Kepenekian, Mikaël, primary, Molard, Yann, additional, Costuas, Karine, additional, Lemoine, Pierric, additional, Gautier, Régis, additional, Ababou Girard, Soraya, additional, Fabre, Bruno, additional, Turban, Pascal, additional, and Cordier, Stéphane, additional
Published: 2019
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50. A low Schottky barrier height and transport mechanism in gold–graphene–silicon (001) heterojunctions

Author: Courtin, Jules, primary, Le Gall, Sylvain, additional, Chrétien, Pascal, additional, Moréac, Alain, additional, Delhaye, Gabriel, additional, Lépine, Bruno, additional, Tricot, Sylvain, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, and Le Breton, Jean-Christophe, additional
Published: 2019
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