Search

Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu., The diploma thesis introduces readers to the issue of PCB cleanliness by a short analysis of historical approaches to their cleaning. The theoretical part defines what phenomena occur in case of leaving impurities on the PCB and names the different types of impurities with a focus on fluxes. It also deals with types of cleaning fluids and selected technologies suitable for PCB cleaning, including research of specific products and their manufacturers. The practical part analyses the current state of washing processes in the company TESCAN Brno, s.r.o and performs the initial cleanliness test of PCBs from external suppliers and internally assembled PCBs. Based on the performed analysis, the work then focuses on the replacement of the current cleaning fluid and the optimization of the used solder. In connection with the process and results of a series of test measurements performed in both monitored areas, work proposes a methodology for evaluating the current applicability of the cleaning liquid and for testing the surface insulation resistance.

Předkládaná práce se zabývá vývojem komplexní modulární ultravakuové aparatury na bázi ultravakuového rastrovacího elektronového mikroskopu UHV SEM. Zaměřuje se především na konstrukční návrh zařízení, který je přizpůsoben požadavkům ultravakua, omezení mechanických vibrací a vědecko-výzkumným aplikacím. Komplexní UHV SEM aparatura je určena pro přípravu, pozorování a modifikaci nanostruktur in situ., The thesis deals with the development of complex modular ultra-high vacuum system based on ultra-high vacuum scanning electron microscope UHV SEM. This discourse focuses primarily on engineering design of the system, which is underlying demands of ultra-high vacuum, limitation of mechanical vibrations and future R&D applications. The device is designed for preparing, observing and modifying of nanostructures in situ.

Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu., The diploma thesis introduces readers to the issue of PCB cleanliness by a short analysis of historical approaches to their cleaning. The theoretical part defines what phenomena occur in case of leaving impurities on the PCB and names the different types of impurities with a focus on fluxes. It also deals with types of cleaning fluids and selected technologies suitable for PCB cleaning, including research of specific products and their manufacturers. The practical part analyses the current state of washing processes in the company TESCAN Brno, s.r.o and performs the initial cleanliness test of PCBs from external suppliers and internally assembled PCBs. Based on the performed analysis, the work then focuses on the replacement of the current cleaning fluid and the optimization of the used solder. In connection with the process and results of a series of test measurements performed in both monitored areas, work proposes a methodology for evaluating the current applicability of the cleaning liquid and for testing the surface insulation resistance.

Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm., The thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.

Předkládaná práce se zabývá vývojem komplexní modulární ultravakuové aparatury na bázi ultravakuového rastrovacího elektronového mikroskopu UHV SEM. Zaměřuje se především na konstrukční návrh zařízení, který je přizpůsoben požadavkům ultravakua, omezení mechanických vibrací a vědecko-výzkumným aplikacím. Komplexní UHV SEM aparatura je určena pro přípravu, pozorování a modifikaci nanostruktur in situ., The thesis deals with the development of complex modular ultra-high vacuum system based on ultra-high vacuum scanning electron microscope UHV SEM. This discourse focuses primarily on engineering design of the system, which is underlying demands of ultra-high vacuum, limitation of mechanical vibrations and future R&D applications. The device is designed for preparing, observing and modifying of nanostructures in situ.

Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm., The thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.

Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu., The diploma thesis introduces readers to the issue of PCB cleanliness by a short analysis of historical approaches to their cleaning. The theoretical part defines what phenomena occur in case of leaving impurities on the PCB and names the different types of impurities with a focus on fluxes. It also deals with types of cleaning fluids and selected technologies suitable for PCB cleaning, including research of specific products and their manufacturers. The practical part analyses the current state of washing processes in the company TESCAN Brno, s.r.o and performs the initial cleanliness test of PCBs from external suppliers and internally assembled PCBs. Based on the performed analysis, the work then focuses on the replacement of the current cleaning fluid and the optimization of the used solder. In connection with the process and results of a series of test measurements performed in both monitored areas, work proposes a methodology for evaluating the current applicability of the cleaning liquid and for testing the surface insulation resistance.

Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu., The diploma thesis introduces readers to the issue of PCB cleanliness by a short analysis of historical approaches to their cleaning. The theoretical part defines what phenomena occur in case of leaving impurities on the PCB and names the different types of impurities with a focus on fluxes. It also deals with types of cleaning fluids and selected technologies suitable for PCB cleaning, including research of specific products and their manufacturers. The practical part analyses the current state of washing processes in the company TESCAN Brno, s.r.o and performs the initial cleanliness test of PCBs from external suppliers and internally assembled PCBs. Based on the performed analysis, the work then focuses on the replacement of the current cleaning fluid and the optimization of the used solder. In connection with the process and results of a series of test measurements performed in both monitored areas, work proposes a methodology for evaluating the current applicability of the cleaning liquid and for testing the surface insulation resistance.

Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu., The diploma thesis introduces readers to the issue of PCB cleanliness by a short analysis of historical approaches to their cleaning. The theoretical part defines what phenomena occur in case of leaving impurities on the PCB and names the different types of impurities with a focus on fluxes. It also deals with types of cleaning fluids and selected technologies suitable for PCB cleaning, including research of specific products and their manufacturers. The practical part analyses the current state of washing processes in the company TESCAN Brno, s.r.o and performs the initial cleanliness test of PCBs from external suppliers and internally assembled PCBs. Based on the performed analysis, the work then focuses on the replacement of the current cleaning fluid and the optimization of the used solder. In connection with the process and results of a series of test measurements performed in both monitored areas, work proposes a methodology for evaluating the current applicability of the cleaning liquid and for testing the surface insulation resistance.

Předkládaná práce se zabývá vývojem komplexní modulární ultravakuové aparatury na bázi ultravakuového rastrovacího elektronového mikroskopu UHV SEM. Zaměřuje se především na konstrukční návrh zařízení, který je přizpůsoben požadavkům ultravakua, omezení mechanických vibrací a vědecko-výzkumným aplikacím. Komplexní UHV SEM aparatura je určena pro přípravu, pozorování a modifikaci nanostruktur in situ., The thesis deals with the development of complex modular ultra-high vacuum system based on ultra-high vacuum scanning electron microscope UHV SEM. This discourse focuses primarily on engineering design of the system, which is underlying demands of ultra-high vacuum, limitation of mechanical vibrations and future R&D applications. The device is designed for preparing, observing and modifying of nanostructures in situ.

Předkládaná práce se zabývá vývojem komplexní modulární ultravakuové aparatury na bázi ultravakuového rastrovacího elektronového mikroskopu UHV SEM. Zaměřuje se především na konstrukční návrh zařízení, který je přizpůsoben požadavkům ultravakua, omezení mechanických vibrací a vědecko-výzkumným aplikacím. Komplexní UHV SEM aparatura je určena pro přípravu, pozorování a modifikaci nanostruktur in situ., The thesis deals with the development of complex modular ultra-high vacuum system based on ultra-high vacuum scanning electron microscope UHV SEM. This discourse focuses primarily on engineering design of the system, which is underlying demands of ultra-high vacuum, limitation of mechanical vibrations and future R&D applications. The device is designed for preparing, observing and modifying of nanostructures in situ.

Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm., The thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.

Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm., The thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.

Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm., The thesis deals with the study and analysis of crystallographic defects on the surface of silicon wafers produced by Czochralski method. It focuses primarily on growth defects and oxygen precipitates, which play an important role in the development of appropriate nucleation centers for growth of stacking faults. The growth of stacking faults near the surface of silicon wafers is supported by their oxidation and selective etching. Such a highlighted stacking faults are known as the OISF (Oxidation Induced Stacking Fault). Spatial distribution of OISF on the wafer gives feedback to the process of pulling silicon single crystal and wafers surface quality. Moreover the work describes the device for automatic detection and analysis of OISF, which was developed for ON Semiconductor company in Rožnov Radhoštěm.

Předkládaná práce se zabývá vývojem komplexní modulární ultravakuové aparatury na bázi ultravakuového rastrovacího elektronového mikroskopu UHV SEM. Zaměřuje se především na konstrukční návrh zařízení, který je přizpůsoben požadavkům ultravakua, omezení mechanických vibrací a vědecko-výzkumným aplikacím. Komplexní UHV SEM aparatura je určena pro přípravu, pozorování a modifikaci nanostruktur in situ., The thesis deals with the development of complex modular ultra-high vacuum system based on ultra-high vacuum scanning electron microscope UHV SEM. This discourse focuses primarily on engineering design of the system, which is underlying demands of ultra-high vacuum, limitation of mechanical vibrations and future R&D applications. The device is designed for preparing, observing and modifying of nanostructures in situ.