Search

Your search keyword '"Sklyarchuk, O. F."' showing total 29 results
Start Over Author "Sklyarchuk, O. F."
29 results on '"Sklyarchuk, O. F."'

4. Effect of Compensation Degree on the Detecting Properties of In-doped Cd0.9Zn0.1Te crystals

Author

Sklyarchuk, V. M., Zakharuk, Z. I., Kolisnyk, M. H., Rarenko, A. I., Sklyarchuk, O. F., Fochuk, P. M., and ЧНУ

Subjects
Cd0.9Zn0.1Te:In, ohmic contact, CSLCs, compensation degree, Schottky contact, Cd0.9Zn0.1Te:In, омічний контакт, струми СОПЗ, ступінь компенсації, контакт Шотткі
Abstract

The electrical characteristics of In-doped Cd0.9Zn0.1Te (CZT:In) crystals with concentration of Со=3,5*1017 cm-3, which are used in X- and gamma-radiation detectors, were investigated during their growth. CZT:In crystals possess a weakly pronounced n-type conductivity and had a resistivity of (1¸2)*109 Ohm*cm at 293 K. In/CZT:In/In structures with ohmic contacts and Cr/CZT:In/In structures with Schottky barriers were created on this crystals. The temperature dependences of the resistivity in investigated material were analyzed and explained. The energy position of the deep level responsible for the material’ dark conductivity was found. Due to the study of the temperature dependence of currents limited by space-charge (SCLC) and of currents of the ohmic section of the volt-ampere characteristics (I-VC), the compensation degree of CZT:In crystals is determined. It was found that Cr/CZT:In/In structures with a Schottky diode, fabricated on crystals with a lower compensation degree, possessed the best detection properties than similar structures fabricated on crystals with a greater compensation degree., Досліджено електричні характеристики кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм (CZT:In) з концентрацією Со=3,5×1017 см-3, в процесі росту, які застосовуються у детекторах X/γ-випромінювання. Кристали CZT:In володіли слабко вираженим n-типом провідності та мали питомий опір (1¸2)×109 Ом·см при 293 К. На їх основі створено структури з омічними контактами In/CZT:In/In та структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі. Проаналізовано та пояснено температурні залежності питомого опору в досліджуваному матеріалі. Визначено енергетичне положення глибокого рівня, відповідального за темнову електропровідність матеріалу. Завдяки дослідженню температурної залежності струмів обмежених просторовим зарядом (СОПЗ) та струмів омічної ділянки вольт-амперної характеристики (ВАХ), визначено ступінь компенсації кристалів CZT:In. Встановлено, що кращими детектуючими властивостями володіли структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі, виготовлені на кристалах з меншим ступенем компенсації, ніж аналогічні структури, виготовлені на кристалах з більшим ступенем компенсації.

Published
2019

5. ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ Ni/n-ZnO:N/p-Si

Author

Ievtushenko, A. I., Lashkarev, G. V., Lazorenko, V. I., Kosyachenko, L. A., Sklyarchuk, V. M., and Sklyarchuk, O. F.

Subjects
ZnO film, heterostructure, internal photocurrent gain, phototransistor, пленка ZnO, гетероструктура, внутреннее усиление фототока, фототранзистор, плівка ZnO, внутрішнє підсилення фотоструму
Abstract

Nitrogen doped n-ZnO:N films were deposited on p-Si substrates by magnetron sputtering. The photosensitivity peculiarities of n-ZnO:N/p-Si structure depending on bias voltage and temperature were investigated. The structures demonstrate a high current sensitivity in a wide spectral region, which increases rapidly with increasing applied voltage. Under a bias 5 V, the responsivity is equal to several tens of A/W at λ = 400 nm, and several units of A/W at 1000 nm. High sensitivity of detector is attributed to internal gain in Ni/n-ZnO:N/p-Si structure that operates as a phototransistor., Леговані азотом плівки n-ZnO:N були осаджені на p-Si підкладки методом магнетронного розпилення. Досліджено особливості фоточутливості структури Ni/nZnO:N/p-Si залежно від напруги зміщення та температури. Структури демонструють високу струмову чутливість в широкому спектральному діапазоні, яка стрімко зростає при збільшенні прикладеної напруги. При напрузі 5 В чутливість на довжині хвилі λ = 400 нм становить декілька десятків А/Вт, а при λ = 1000 нм — декілька одиниць А/Вт. Висока чутливість детектора пояснюється внутрішнім підсиленням в структурі Ni/n-ZnO:N/p-Si, що поводить себе як фототранзистор., Легированные азотом пленки n-ZnO:N были осаждены на p-Si подложки методом магнетронного распыления. Исследовано особенности фоточувствительности структуры Ni/n-ZnO:N/p-Si в зависимости от напряжения смещения и температуры. Структуры демонстрируют высокую токовую чувствительность в широком спектральном диапазоне, которая стремительно возрастает при увеличении приложенного напряжения. При напряжении смещения 5 В чувствительность на длине волны λ = 400 нм составляет несколько десятков А/Вт, а при λ = 1000 нм — несколько единиц А/Вт. Высокая чувствительность детектора объясняется внутренним усилением в структуре Ni/n-ZnO:N/p-Si, которая ведет себя как фототранзистор.

Published
2010

7. Cd1-xMnxTe AS A MATERIAL FOR Õ- AND γ-RAY DETECTORS

Author

Kosyachenko, L. A., Rarenko, I. M., Sklyarchuk, V. M., Yurtsenyuk, N. S., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, O. F., Zakharuk, Z. I., and Grushko, E. V.

Subjects
детектори Х- і γ-випромінювання, Cd1-xMnxTe, оптичні й транспортні властивості, X- ³ γ-ray detectors, optical and transport properties, детекторы Х- и γ- излучения, оптические и транспортные свойства
Abstract

Досліджено монокристали Cd1-xMnxTe p-типу провідності зі вмістом марганцю 40 % (х = 0.4) на предмет їх застосування в детекторах Х- і γ-випромінювання. Зі спектрів оптичного пропускання знайдено ширину забороненої зони напівпровідника, значення якої зіставлено з узагальненими літературними даними для такого вмісту Mn. Створені омічні контакти й досліджено температурну залежність питомого опору матеріалу (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Виходячи із статистики носіїв заряду в компенсованому напівпровіднику, знайдено енергію іонізації й ступінь компенсації акцептора, відповідального за електропровідність Cd0.6Mn0.4Te. Сформульовано рекомендації щодо покращення параметрів Cd0.6Mn0.4Te як матеріалу для детекторів Х- і γ-випромінювання., Исследованы монокристаллы Cd1-xMnxTe p-типа проводимости с содержанием марганца 40 % (х = 0.4) на предмет их применения в детекторах Х- и γ-излучения. Из спектров оптического пропускания найдена ширина запрещенной зоны полупроводника, значение которой сопоставлено с обобщенными литературными данными для такого содержания Mn. Созданы омические контакты и исследована температурная зависимость удельного сопротивления материала (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Исходя из статистики носителей заряда в компенсированном полупроводнике, найдена энергия ионизации и степень компенсации акцептора, ответственного за электропроводность Cd0.6Mn0.4Te. Сформулированы рекомендации для улучшения параметров Cd0.6Mn0.4Te как материала для детекторов Х- и γ-излучения., Cd1-xMnxTe crystals of p-type conductivity with 40 % manganese content (x = 0.4) are investigated for their use in detectors of X-and γ-radiation. From optical transmission spectra, the band gap of semiconductor has been found whose value compared with the generalized literature data for such Mn content. Ohmic contacts have been created and the temperature dependence of resistivity of the material has been investigated (~ 108 Ω⋅cm at 300 K). Based on the statistics of charge carriers in a compensated semiconductor, the ionization energy and the compensation degree of acceptor responsible for resistivity of Cd0.6Mn0.4Te have been obtained. Recommendations for improvement of parameters of Cd0.6Mn0.4Te as detector material for X-and γ-radiation are formulated.

Published
2010

8. PHOTOSENSITIVITY PECULIARITIES OF Ni/n-ZnO:N/p-Si STRUCTURE

Author

Ievtushenko, A. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lashkarev, G. V.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lazorenko, V. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Ievtushenko, A. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lashkarev, G. V.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lazorenko, V. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, and Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Abstract

Nitrogen doped n-ZnO:N films were deposited on p-Si substrates by magnetron sputtering. The photosensitivity peculiarities of n-ZnO:N/p-Si structure depending on bias voltage and temperature were investigated. The structures demonstrate a high current sensitivity in a wide spectral region, which increases rapidly with increasing applied voltage. Under a bias 5 V, the responsivity is equal to several tens of A/W at λ = 400 nm, and several units of A/W at 1000 nm. High sensitivity of detector is attributed to internal gain in Ni/n-ZnO:N/p-Si structure that operates as a phototransistor., Леговані азотом плівки n-ZnO:N були осаджені на p-Si підкладки методом магнетронного розпилення. Досліджено особливості фоточутливості структури Ni/nZnO:N/p-Si залежно від напруги зміщення та температури. Структури демонструють високу струмову чутливість в широкому спектральному діапазоні, яка стрімко зростає при збільшенні прикладеної напруги. При напрузі 5 В чутливість на довжині хвилі λ = 400 нм становить декілька десятків А/Вт, а при λ = 1000 нм — декілька одиниць А/Вт. Висока чутливість детектора пояснюється внутрішнім підсиленням в структурі Ni/n-ZnO:N/p-Si, що поводить себе як фототранзистор., Легированные азотом пленки n-ZnO:N были осаждены на p-Si подложки методом магнетронного распыления. Исследовано особенности фоточувствительности структуры Ni/n-ZnO:N/p-Si в зависимости от напряжения смещения и температуры. Структуры демонстрируют высокую токовую чувствительность в широком спектральном диапазоне, которая стремительно возрастает при увеличении приложенного напряжения. При напряжении смещения 5 В чувствительность на длине волны λ = 400 нм составляет несколько десятков А/Вт, а при λ = 1000 нм — несколько единиц А/Вт. Высокая чувствительность детектора объясняется внутренним усилением в структуре Ni/n-ZnO:N/p-Si, которая ведет себя как фототранзистор.

Published
2010

9. Cd1-xMnxTe ЯК МАТЕРІАЛ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ Х- І γ-ВИПРОМІНЮВАННЯ

Author

Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Rarenko, I. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Yurtsenyuk, N. S.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Maslyanchuk, O. L.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Zakharuk, Z. I.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Grushko, E. V.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Rarenko, I. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Yurtsenyuk, N. S.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Maslyanchuk, O. L.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Zakharuk, Z. I.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, and Grushko, E. V.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Abstract

Досліджено монокристали Cd1-xMnxTe p-типу провідності зі вмістом марганцю 40 % (х = 0.4) на предмет їх застосування в детекторах Х- і γ-випромінювання. Зі спектрів оптичного пропускання знайдено ширину забороненої зони напівпровідника, значення якої зіставлено з узагальненими літературними даними для такого вмісту Mn. Створені омічні контакти й досліджено температурну залежність питомого опору матеріалу (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Виходячи із статистики носіїв заряду в компенсованому напівпровіднику, знайдено енергію іонізації й ступінь компенсації акцептора, відповідального за електропровідність Cd0.6Mn0.4Te. Сформульовано рекомендації щодо покращення параметрів Cd0.6Mn0.4Te як матеріалу для детекторів Х- і γ-випромінювання., Исследованы монокристаллы Cd1-xMnxTe p-типа проводимости с содержанием марганца 40 % (х = 0.4) на предмет их применения в детекторах Х- и γ-излучения. Из спектров оптического пропускания найдена ширина запрещенной зоны полупроводника, значение которой сопоставлено с обобщенными литературными данными для такого содержания Mn. Созданы омические контакты и исследована температурная зависимость удельного сопротивления материала (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Исходя из статистики носителей заряда в компенсированном полупроводнике, найдена энергия ионизации и степень компенсации акцептора, ответственного за электропроводность Cd0.6Mn0.4Te. Сформулированы рекомендации для улучшения параметров Cd0.6Mn0.4Te как материала для детекторов Х- и γ-излучения., Cd1-xMnxTe crystals of p-type conductivity with 40 % manganese content (x = 0.4) are investigated for their use in detectors of X-and γ-radiation. From optical transmission spectra, the band gap of semiconductor has been found whose value compared with the generalized literature data for such Mn content. Ohmic contacts have been created and the temperature dependence of resistivity of the material has been investigated (~ 108 Ω⋅cm at 300 K). Based on the statistics of charge carriers in a compensated semiconductor, the ionization energy and the compensation degree of acceptor responsible for resistivity of Cd0.6Mn0.4Te have been obtained. Recommendations for improvement of parameters of Cd0.6Mn0.4Te as detector material for X-and γ-radiation are formulated.

Published
2010

11. ULTRAVIOLET DETECTOR BASED ON ZnO, DOPED BY NITROGEN

Author

Ievtushenko, A. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lashkarev, G. V.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lazorenko, V. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Karpyna, V. A.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Khranovskyy, V. D.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Ievtushenko, A. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lashkarev, G. V.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Lazorenko, V. I.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Karpyna, V. A.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Khranovskyy, V. D.; Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України ім. І.М. Францевича, Kosyachenko, L. A.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Sklyarchuk, V. M.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, and Sklyarchuk, O. F.; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Abstract

ZnO films, doped by nitrogen, deposited on p-Si (100) substrates by magnetron sputtering in nitrogen plasma were studied. The developes surface-barrier Ni/ZnO:N/Al diodes demonstrated the maximal photosensitivity about 0.1 À/W at 365 nm (at bias -1 V) and the time constant of photoresponse is about 100 ns. The methods for improvement of the properties of UV radiation detectors, based on investigated ZnO:N films, were proposed., Досліджено леговані азотом плівки ZnO, осаджені методом магнетронного розпилення в азотній плазмі на Si (100) підкладинку p-типу провідності. Створені поверхнево-бар’єрні Ni-ZnO:N-Al діоди демонструють високу фоточутливість з максимумом ~ 0,1 А/Вт на довжині хвилі 365 нм при зміщенні – 1 В і швидкодію із сталою часу ~ 100 нс. Запропоновано методи покращення властивостей детекторів УФ випромінювання на основі досліджених ZnO:N плівок., Исследованы легированные азотом пленки ZnO, осажденные методом магнетронного напыления в азотной плазме на Si (100) подложку p-типа проводимости. Созданные поверхностно-барьерные Ni-ZnO:N-Al диоды продемонстрировали высокую фоточувствительность с максимумом ~0,1 А/Вт на длине волны 365 нм при смещении -1В и быстродействием с постоянной времени ~ 100 нс. Предложены методы улучшения свойств детекторов УФ излучения на основе исследованных ZnO:N пленок.

Published
2008

16. Effect of nitrogen doping on photoresponsivity of ZnO films

Author

Ievtushenko, A. I., primary, Lashkarev, G. V., additional, Lazorenko, V. I., additional, Karpyna, V. A., additional, Dusheyko, M. G., additional, Tkach, V. M., additional, Kosyachenko, L. A., additional, Sklyarchuk, V. M., additional, Sklyarchuk, O. F., additional, Avramenko, K. A., additional, Strelchuk, V. V., additional, and Horvath, Zs. J., additional

Published
2010
Full Text
View/download PDF

22. ULTRAVIOLET DETECTOR BASED ON ZnO, DOPED BY NITROGEN

Author

Ievtushenko, A. I., primary, Lashkarev, G. V., additional, Lazorenko, V. I., additional, Karpyna, V. A., additional, Khranovskyy, V. D., additional, Kosyachenko, L. A., additional, Sklyarchuk, V. M., additional, and Sklyarchuk, O. F., additional

Published
2008
Full Text
View/download PDF

26. High Energy Resolution CdTe Schottky Diode \gamma-Ray Detectors.

Author

Kosyachenko, L. A., Aoki, T., Lambropoulos, C. P., Gnatyuk, V. A., Grushko, E. V., Sklyarchuk, V. M., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, O. F., and Koike, A.

Subjects
CADMIUM telluride detectors, SCHOTTKY barrier diodes, GAMMA ray detectors, OHMIC contacts, NICKEL electrodes, CRYSTAL defects, X-ray detection, EQUIPMENT & supplies
Abstract

Schottky diode X-/\gamma-ray detectors based on semi-insulating Cl-doped CdTe crystals have been developed and investigated. Both the Schottky and Ohmic contacts were formed by vacuum deposition of Ni electrodes on the opposite faces of (111) oriented CdTe crystals pretreated by Ar ion bombardment with different conditions. Record-low leakage current in the fabricated Ni/CdTe/Ni structure at high voltages ( \sim \5 nA at 300 K for the area of 10 \mm^2 at bias voltage of 1500 V) was achieved. The charge transport mechanisms in the detectors are interpreted on the basis of known theoretical models. The developed detectors have shown the record-high energy resolution in the measured spectra of ^137\Cs (0.42% FWHM). From a comparison of the spectra taken with the detector irradiated from the Schottky contact side and from the opposite side with an Ohmic contact, the concentration of uncompensated impurities (defects) in the CdTe crystals has been determined. The obtained value has been found to be close to the optimal one determined from the calculation results. [ABSTRACT FROM PUBLISHER]

Published
2013
Full Text
View/download PDF

27. Hg3In2Te6-based photodiodes for fiber optic communication

Author

Kosyachenko, L. A., Kabanova, I. S., Sklyarchuk, V. M., Sklyarchuk, O. F., and Rarenko, I. M.

Abstract

Schottky barrier photodiodes obtained by vacuum evaporation of the semitransparent film over the surface of single crystalline Hg3In2Te6substrates pretreated by Ar ion bombardment. The responsivity maximum of the photodiodes is at the wavelength of 1.55 μm, corresponding to the transmission window in silica glass fiber with the minimal optical losses. The dark current in the diodes is determined by generationrecombination processes in the spacecharge region and quantitatively governed by the Sah–Noyce–Shockley theory. A comparison of the photoelectric parameters of Hg3In2Te6and Ge photodiodes is reported. The speed of the photodiode response is in the range 10–8s to 10–7s. © 2009 WILEYVCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Published
2009
Full Text
View/download PDF

28. Detector with High Internal Photocurrent Gain Based on ZnO:N.

Author

Kosyachenko, L. A., Lashkarev, G. V., Ievtushenko, A. I., Lazorenko, V. I., Sklyarchuk, V. M., and Sklyarchuk, O. F.

Subjects
ZINC oxide, HETEROSTRUCTURES, PHOTOELECTRIC measurements, SCHOTTKY barrier diodes, ELECTRIC fields, SEMICONDUCTOR junctions
Abstract

The photoresponsive structures prepared by magnetron sputtering of ZnO:N on p-Si substrates followed by vacuum evaporation of semi-transparent Ni film on ZnO surface were investigated. The mentioned structures show high sensitivity that sharply enhances with increase of applied voltage. Under a bias 5 V, the responsivities at λ = 390 and 850 nm are equal to 210 A/W and 110 A/W which correspond to the quantum efficiencies of 655 and 165, respectively. It is suggested that the observed high response is attributed to internal gain in phototransistor structure containing Ni/n-ZnO Schottky contact as emitter junction and n-ZnO/p-Si heterostructure as collector junction. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2011
Full Text
View/download PDF

Catalog

Books, media, physical & digital resources
See catalog results