Search

To estimate the dust formation time scale in a silane-hydrogen plasma, optical and electrical plasma diagnostics are performed. We report a periodic fluctuation in emission intensity and electric current in a dusty plasma. The trends of the frequency of fluctuations with varying substrate temperatures and gas flows are studied. However, no such fluctuation is observed in the nondusty plasma. It is hypothesized that this fluctuation arises from the periodic formation and ejection of a dust cloud via the void formation when a critical dust size is reached. PACS Nos.: 52.27.Lw, 52.70.-m, 81.07.Ta, 52.70.-m, 52.25.Gj. Nous effectuons des diagnostiques optiques et electriques dans des plasmas de silane-hydrogene, afin de determiner l'echelle de temps de la formation de poussiere dans ce plasma. Nous observons une fluctuation periodique de l'intensite d'emission et de courant electrique dans un plasma poussiereux. Nous etudions les tendances de la frequence des fluctuations selon differentes temperatures du substrat et differents ecoulements gazeux. Nous n'observons aucune fluctuation de ce genre dans le plasma non poussiereux. Notre hypothese est que cette fluctuation vient de la formation periodique et de l'ejection d'un nuage de poussiere, causant la formation d'un vide (cavitation), lorsqu'un volume critique de poussiere est produit. [Traduit par la Redaction], 1. Introduction Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a widely used technique for thin film silicon depositions. Nanoparticle and dust formation in a silane-hydrogen discharge in PECVD can have [...]

We deposited a silicon nitride (Si[N.sub.x])-polymer hybrid multilayer moisture barrier in a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) process, entirely below 100°C. The polymer, poly(glycidyl methacrylate) (PGMA), was deposited by initiated chemical vapour deposition and the Si[N.sub.x] in a dedicated HWCVD reactor. Line profile investigation of our barrier structures by cross-sectional scanning transmission electron microscopy and energy dispersive X-ray spectrometry reveals that, upon deposition of Si[N.sub.x] on top of our polymer layer, an intermediate layer of silicon oxide (Si[O.sub.x]) like material is formed. X-ray photoelectron spectroscopy measurements confirm the presence of this material and indicate the epoxy rings in the PGMA material open upon heating (to 100°C) and exposure to atomic hydrogen and amine species in the HWCVD process. The oxygen atoms subsequently react with silicon and nitrogen containing radicals to form Si[O.sub.x][N.sub.y]. The interlayer turns out to be highly beneficial for interlayer adhesion and this is considered to be one of the reasons for the excellent barrier properties of our multilayer. PACS Nos.: 68.60.Wm, 68.65.Ac, 66.30.jj. Resume : Nous deposons un pare-vapeur multicouche hybride de nitrure de silicium (Si[N.sub.x])/polymere par un procede de depot de vapeur chimique due a un filament chaud (HWCVD), le tout sous les 100°C. Le polymere, poly(methacrylate de glycidyle) (PGMA), est depose en vapeur chimique par activation et le Si[N.sub.x] dans un reacteur HWCVD dedie. Nous analysons les profiles de ligne de la structure de nos barrieres a l'aide de la microscopie electronique en transmission, avec balayage de la section efficace et par analyse X dispersive en energie. Cette analyse revele qu'en deposant Si[N.sub.x] sur le polymere, il se forme une couche intermediaire de materiau de type Si[O.sub.x]. Des mesures XPS confirment la presence de ce materiau et indiquent la presence de structures circulaires dans le PGMA lorsque chauffe a 100°C et expose a l'hydrogene atomique et a des amines durant le procede HWCVD. Les atomes d'oxygene reagissent alors avec le Si et les radicaux N pour former du Si[O.sub.x][N.sub.y]. Cette couche intermediaire s'avere benefique pour l'adhesion entre les couches et est consideree comme une des raisons pour les excellentes proprietes de pare-vapeur de notre multicouche., 1. Introduction Sensitive electronic devices can swiftly degrade because of oxygen and water vapor permeating into their active layers. For devices made on flexible plastic substrates, which, contrary to glass, [...]