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The present paper reports first principle calculations to assess the adsorption and diffusion of a Nb atom on a 2×2 AlN(0001) surface constructed with the supercell model. These calculations solve the Kohn-Sham equations over a base of plane waves and atomic pseudopotentials, using the Generalized Gradient Approximation to describe electron-electron interaction within the framework of the Density Functional Theory. In addition, the most favorable adsorption model is assessed through the T1, T4, and H3 high symmetry sites. Based on this, it is found that the most favorable energy structures are those of a Nb atom located at the H3 and T4 sites, while the adsorption of Nb on an aluminum atom (T1 site) is unfavorable. The diffusion of Nb on the surface denotes an activation energy of 0.453 eV from T4 toward H3. The results from adsorbate–surface reconstructions at different high symmetry points exhibit a lateral relaxation of a few hundredths of an Angstrom unit against its most stable configuration. Lastly, the study compares the density values of the different AlN(0001) clean surface states and assesses the reconstructions that denote greater energy favorability. Se reportan cálculos de primeros principios con el fin de analizar la adsorción y la difusión de un átomo de Nb en la superficie AlN (0001) con una geometría 2 × 2, la cual se construye con el modelo de supercelda. En los cálculos se resuelven las ecuaciones de Konh-Sham con una base de ondas planas y pseudopontenciales atómicos, para lo cual se utiliza la aproximación del gradiente generalizado (GGA) para describir la interacción electrón-electrón, dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). Con el propósito de estudiar el modelo de adsorción más favorable, se consideran los sitios de alta simetría T1, T4 y H3. Se encuentra que las estructuras energéticamente más favorables corresponden a la de un átomo de Nb localizado en los sitos H3 y T4, mientras que la adsorción del Nb sobre un átomo de aluminio (sitio T1) es desfavorable. La difusión del Nb sobre la superficie muestra una energía de activación de 0.453 eV de T4 hacia H3. Los resultados de las reconstrucciones adsorbato-superficie en los diferentes puntos de alta simetría presentan una relajación lateral de unas centésimas de angstrom con relación a su configuración más estable. Finalmente, se comparan la densidad de estados de la superficie limpia AlN(0001) y las reconstrucciones que presentan mayor favorabilidad energética. O presente artigo relata cálculos de primeiros princípios para avaliar a adsorção e a difusão de um átomo de Nb na superfície AlN(0001) de geometria 2×2 construída com o modelo de supercélula. Esses cálculos resolvem as equações de Konh-Sham com uma base de ondas planas e pseudopotenciais atômicos, usando a aproximação do gradiente generalizado (GGA) para descrever a interação elétron-elétron, dentro da abordagem da teoria do funcional de densidade (DFT). Com o objetivo de avaliar o modelo de adsorção mais favorável, consideram-se os locais de alta simetria T1, T4 e H3. Com base nisso, constatou-se que as estruturas energeticamente mais favoráveis correspondem às de um átomo de Nb localizado nos locais H3 e T4, enquanto a adsorção do Nb sobre um átomo de alumínio (local T1) é desfavorável. A difusão do Nb sobre a superfície indica uma energia de ativação de 0,453 eV de T4 para H3. Os resultados das reconstruções adsorbato-superfície nos diferentes pontos de alta simetria apresentam um relaxamento lateral de alguns centésimos de ångström em relação à configuração mais estável. Por fim, o estudo compara os valores de densidade de diferentes estados da superfície limpa AlN(0001) e as reconstruções mais energeticamente favoráveis.