Neorganiniai sluoksniai, sudaryti tam tikro substrato, pavyzdžiui, stiklo, plastiko ar metalo paviršiuje, gali būtų naudojami fotovoltiniuose prietaisuose. Antros kartos saulės elementai, kuriuose aktyvusis sluoksnis siekia nuo kelių nanometrų iki keliolikos dešimčių mikrometrų, pasižymi tokiais privalumais kaip elastingumas ar mažas svoris. Šiuo metu didžiausias efektyvumas pasiekiamas naudojant tuos antros kartos saulės elementus, kuriuose krūvininkai yra generuojami kadmio telūrido ar vario indžio galio selenido sluoksniuose. Šių sluoksnių sudarymas gali būti susijęs su toksiškų elementų, pavyzdžiui, kadmio, išsiskyrimu į aplinką, taip pat žaliavų ribotumu ir sudėtingais sluoksnių sudarymo metodais. Atsižvelgiant į šias priežastis, siekiama tirti alternatyvias medžiagas ir sluoksnių sudarymo metodus. Kadangi alavo selenidas nėra toksiškas ir pasižymi optinėmis bei elektrinėmis savybėmis, kurios būtų tinkamos minėto junginio pritaikymui antros kartos saulės elementuose, projekto metu gilinamasi į šio junginio nusodinimą hidrofilinio polimero poliamido 6 paviršiuje. Nusodinimas atliekamas taikant ekonomišką ir sudėtingos įrangos ar sąlygų nereikalaujantį adsorbcinį-difuzinį metodą. Taip pat siekiama nustatyti, kaip skirtingų metalų jonų (vario, sidabro, indžio, galio) įterpimas į SnSe sluoksnį modifikuoja pirmines jo savybes. Procesas susideda iš trijų etapų. Pirmame etape poliamido 6 plokštelės veikiamos dvivalentį seleną turinčių anijonų tirpalu. Antrame etape įseleninta poliamido 6 plokštelė veikiama alavo (II) jonų turinčiu tirpalu, paviršiuje susidarant alavo selenido sluoksniui. Trečiajame etape poliamido 6 plokštelės, su paviršiuje susidariusiu SnSe sluoksniu, merkiamos į sidabro, vario (II/I), indžio ir galio jonų pirmtakų tirpalus. Atlikti tyrimai parodė, jog visi tirti metalų jonai gali būti įterpti į pirminį SnSe sluoksnį taikant adsorbcinį-difuzinį metodą. Lengviau į polimero matricą difundavo sidabro ir vario jonai, sunkiau galio ir indžio. Visų sluoksnių sudarymui įtakos turėjo proceso sąlygos: pirmtakų tirpalų koncentracija, pH vertė, temperatūra, proceso trukmė. Metalų jonų įterpimas turėjo įtakos pirminio SnSe sluoksnio draustinės juostos energijos vertei, t. y., sidabro jonų įterpimas sumažino draustinės juostos energijos vertę, o vario, galio ir indžio padidino. Metalų jonų įterpimas taip pat turėjo įtakos ir sluoksnio storiui, t. y., didesnė metalų priedų koncentracija lėmė storesnio sluoksnio susidarymą., Inorganic layers deposited onto substrate, such as glass, plastic or metal, are widely used in photovoltaic devices. Second generation solar cells, in which thickness of active layer range from a few nanometers to several micrometers, have such benefits as elasticity and low weight. Nowadays, the highest efficiency is achieved by using CdTe or (Cu(In,Ga)Se2) solar cells. These layers are associated with toxic elements release into atmosphere, limitation of raw materials and complicated methods of layer formation. Due to this, it is really important to search new materials and simpler method. Tin selenide is one of potential material for application in solar cell, because it has suitable optical and electrical properties, also it is non-toxic. In this project, tin selenide layers are formed onto polyamide 6 substrate. Tin selenide layers are deposited by using simple and cost-efficiency adsorption-diffusion method. Also, it was investigated how different dopants of metal ions change primary tin selenide properties. There are three stages of this method. Firstly, polyamide 6 sheets are immersed into precursor solution of selenium ions. Secondly, selenized PA 6 sheets are immersed into precursor solution of tin (II) ions. Finally, polyamide 6 sheets with tin selenide layer are doped with different metal ions. Silver, gallium, indium, copper ions could easily enter into primary tin selenide layer by using adsorption-diffusion method. Silver and copper ions diffuse into tin selenide layer the most easily. All layers were affected by layer formation conditions such as concentration of precursor solutions, pH value, temperature, time of process. Metal ion incorporation into primary tin selenide layer changed its band gap value. Silver ions decreased band gap value, copper, gallium and indium – increased. Metal ions also affected thickness of layers. Higher concentration of metal additives resulting in formation of a thicker layer.