Search

It was established that minimal content of the glass-forming component GeS2 is equal to 30 mol.% (by exploration the set of 23 different alloys with different composition). Correlation between structural properties, thermal parameters (glass transition, crystallization and melting temperatures) and optical absorption spectra along of the titled glasses system has been found. The temperatures, the band gap energy and the characteristic energy of vitreous alloys for the gastric system Tl2S - In2S3 - GeS2 were investigated experimentally., У роботі встановлено, що мінімальний вміст склоутворюючого компоненту GeS2рівний 30 мол.% (при дослідженні 23 різних сплавів з різним складом). Встановлено, взаємозв'язок між структурними властивостями, тепловими параметрами та оптичними спектрами поглинання. Представлено результати дослідження фазових рівноваг систем Tl2S - In2S3 - GeS2 та експериментально досліджено ширину забороненої зони.

The nature of the equilibria in the Ag2S-In2S3-Si(Ge)S2 systems was established and the polythermal cross sections were studied to allow us to select the optimal growth conditions for single crystals of the tetrara Ag2In2SiS6 and Ag2In2GeS6 single crystals. A study was made of the spectral distribution of the absorption coefficient and its photoinduced changes. The possibility of using the studied compounds as materials with controlled properties is shown. Key words: polythermal cross sections, quasipotrium system, disordered systems, photoinduced absorption., У роботі встановлений характер рівноваг у системах Ag2S-In2S3-Si(Ge)S2 та досліджені політермічні перетини дозволяють вибрати оптимальні умови росту монокристалів тетрарних халькогенідів Ag2In2SiS6 і Ag2In2GeS6. Проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання та його фотоіндукованих змін. Показано можливість використання досліджуваних сполук в якості матеріалів з керованими властивостями. Ключові слова: політермічні перетини, квазіпотрійна система, невпорядковані системи, фотоіндуковане поглинання.

In present work spectral distribution of absorption coefficient in the range of 100 – 300 K was investigated and band gap values evaluated. Parameters of Urbach rule were calculated and linearity of temperature dependence of Urbach energy was showed. Thermo induced piezoelectric effect in a range of 297 - 357 K was investigated. Laser induced kinetics of piezomodule was investigated and absence of irreversible changes was showed. Influence of heating the crystal during laser illuminating on piezoelectric module was adjusted.Keywords: chalcogenides, single crystal, band gap, Urbach rule, piezoelectric effect., У даній роботі досліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в діапазоні температур 100 – 300 К, оцінена ширина забороненої зони. Показана експоненційна залежність коефіцієнта поглинання в області краю поглинання, розраховані параметри правила Урбаха. Досліджено температурно- та лазерно- індукований п’єзоелектричний ефект. Скореговано вплив нагріваня монокристалу при освітленні лазером на п’єзоелектричний коефіцієнт.Ключові слова: халькогеніди, монокристали, ширина забороненої зони, правило Урбаха, п’єзоелектричний ефект.

Temperature depen-dences of specific dark conductivity and spectral distributions ofphotoconductivity have been studied. It has been established thatthe Ag2In2SiSe6 and Ag2In2GeSe6 single crystals are highresistancesemiconductors withp-type conductivity. The interpretation of experimental results conducted under the Mott model for disordered systems. Thus, from the experimental results follows that the solid solution AgInSe2-Si(Ge)Se2 when the temperature drops from 300 to 200 K, the conductivity in the area carried thermo excited permitted carriers impurity activation energy of ~ 0.59eV and 0.48eV for Ag2In2SiSe6 and Ag2In2GeSe6 respectively.Keywords: conductivity,Fermi level, activation energy, an amorphous semiconductor, photoconductivity., Проаналізовані температурні залежності питомої електропровідності та спектральний розподіл фотопровідності в монокристалах Ag2In2SiSe6 і Ag2In2GeSe6. Показано, що в температурному інтервалі 100 – 300 K спостерігається провідність термозбуджених домішкових носіїв заряду по дозволеній. Інтерпретація експериментальних результатів проведена в рамках моделі Мотта для невпорядкованих систем. Визначена енергія активації домішкової провідності. Ключові слова: провідність, енергія активації, аморфний напівпровідник, фотопровідність.

Досліджували спектри оптичного поглинання шаруватих напівпровідників системи Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25). За спектрами пропускання в області краю власного поглинання розраховано коефіцієнт поглинання α. Описано механізм зменшення ширини забороненої зони g E твердого розчину при збільшенні вмісту SnSe 2 ; Investigated optical absorption spectra of layered semiconductor system Tl 1-x In1-x Sn x Se 2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25). For the transmission spectra in the region of intrinsic absorption calculated absorption coefficient α. We describe the mechanism of reduction of band gap of the solid solution with increased content SnSe 2.

Тверді розчини системи CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 належать до катіонодефектних матеріалів типу B II C2 III X4, у яких край смуги власного поглинання описується правилом Урбаха. Монокристали із вмістом компоненти ZnIn2 Se 4, більшим 15 моль %, є фоточутливими при низьких температурах (T≤77 K) напівпровідниками з єдиним вузьким максимумом власної фотопровідності. Температурний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони Eg , неза-лежно від співвідношення між компонентами твердого розчину, практично однаковий і в інтервалі температур 77300 К становить ~6·10 -4 еВ/К. Особливістю низькотемпературної фотопровідності досліджуваних сполук є підвищена фоточутливість із боку більш коротких довжин хвиль від максимуму фотопровідності. Електричні властивості монокристалів CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 в області існування однофазного розчину (до 20 моль % ZnIn 2 Se 4) проявляють риси дефектних невпорядкованих систем із домінуючою стрибковою про-відністю. ; Solid solutions CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 belong to cationdefective B II C III 2X4 materials in which fundamental absorption edge is described by the Urbach rule. Single crystals with a content of ZnIn 2 Se 4 more then 15 mol % turned out to be photosensitive at low temperature (T≤77 K) semiconductors with a single narrow maximum of intrinsic photoconductivity. The thermal coefficient of the variations of the width of the energy gap independently of the ratio between components of the compounds at temperatures 77300 K becomes ~6·10 -4 eV/K. The pecularity of low-temperature photoconductivity of solid solutions is increased photosensitivity at shorter wavelengths from maximum of photoconductivity. Electrical properties of crystals CuInSe 2 – ZnIn 2 Se 4 in the existence of single-phase solid solution (to ~20 mol % ZnIn 2 Se 4 ) exhibit properties of defective disordered systems with dominant hopping mechanism of conductivity.

Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів Cd0,96 Zn 0,04 Te p-типу провідності, отримані методом Бріджмена в парах Cd та Zn. Темновий питомий опір монокристалів при Т≈300 К становив ρ≈10 6 –10 7 Ом·см, коефіцієнт термо- ЕРС – α≈700 мкВ/К. За результатами досліджень магнітоопору оцінено кон-центрацію та рухливість дірок. За положенням краю смуги власного оптичного поглинання, який описується правилом Урбаха, оцінено ширину забороненої зони (E g ≈1,53 еВ). Температурна залежність електропровідності досліджувалась в інтервалі температур 300 –700 К і має активаційний характер. ; Electric al, optical and photoelectrical properties of p-type single crystals Cd1- x Zn x Te grown by Bridgman method under Cd and Zn vapour pressure have been investigated. The resistivity of single crystals at T≈300 K is ρ≈10 6 - 10 7 Ohm·cm, the thermoelectric power factor - α≈700 μV/K. According to studies of the magnetoresistance concentration and mobility of holes have been estimated. On the position of the edge of intrinsic optical transitions, which is well described by the Urbach rule, the optical width of the forbiddenzone of the compound was evaluated (Eg ≈1,53 eV at T≈300 K). Temperature dependence of electrical conductivity was investigated in the temperature region from 300 K to 700 K and is shown to have activation character.