Search

Based on the results of studying the synthesized samples by X-ray phase analysis, the isothermal section of the Cu2Se – CdSe – Sb2Se3 system at 620 K has been constructed. There are five quasiternary systems, which divide the system on the five fields of the three-phase equilibrium: CuSbSe2 – CdSe – Sb2Se3; CuSbSe2 – CdSe – Cu12CdSb4Se13; Cu2Se – CdSe – Cu12CdSb4Se13; Cu2Se – Cu3SbSe3 – Cu12CdSb4Se13; Cu3SbSe3 – Cu12CdSb4Se13 – CuSbSe2. In the system, the existence of a new quaternary compound Cu12CdSb4Se13, which crystallizes in cubic syngony, Sp.Gr. I-43m, a = 1.06945 (1) nm, of tetrahedrite structural type. Based on the results of the differential thermal and X-ray phase analyzes of the synthesized samples, four polythermal sections have been constructed. One phase diagram of the CdSe – CuSbSe2 system has been built, which is a triangulating section of the quasiternary system. It divides the investigated system on two subsystems: Cu2Se – CdSe – CuSbSe2 and CuSbSe2 – CdSe – Sb2Se3. It has been found that the CdSe – CuSbSe2 phase diagram is a system of eutectic type with coordinates of eutectic point 15 mol % CdSe, Te3 = 710 K. The solubility based on the initial components is insignificant and at 620 K, the annealing temperature, is reduced to a minimum. The nature of the formation of the tetrahedral compound Cu12CdSb4Se13 from the peritectic reaction L p2+ Cu2Se ↔ Cu12CdSb4Se13 at 750 K has been investigated. The liquidus surface projection of the quasi-ternary system Cu2Se – CdSe – Sb2Se3 onto the concentration triangle has been built using the obtained results and literature data. The liquidus surface consists of the fields of primary crystallization of the phases: Cu2Se, CdSe, Sb2Se3, Cu3SbSe3, Cu12CdSb4Se13 and CuSbSe2. The largest area is occupied by the primary crystallization field of the binary CdSe compound. The nature, temperatures, and coordinates of non- and monovariant equilibria have been also established., За результатами досліджень синтезованих зразків методом рентгенофазового аналізу побудований ізотермічний переріз системи Cu2Se – CdSe – Sb2Se3 при 620 К. В системі встановлено існування нової тетрарної сполуки складу Cu12CdSb4Se13, що кристалізується в кубічній сингонії, пр. гр. I-43m, а = 1, 06945(1) нм, структурний тип тетраедриту. За результатами диференційно-термічного та рентгенофазового аналізів синтезованих зразків побудовано чотири політермічних перерізи, одна діаграму стану системи CdSe – CuSbSe2, що є триангулюючим перерізом досліджуваної квазіпотрійної системи. Встановлений характер утворення тетрарної сполуки Cu12CdSb4Se13 за перитектичною реакцією Lр2+Cu2Se ↔ Cu12CdSb4Se13 при 750 К. Враховуючи отримані результати та літературні данні побудовано проекцію поверхні ліквідусу квазіпотрійної системи Cu2Se – CdSe – Sb2Se3 на концентраційний трикутник. Поверхня ліквідусу складається з полів первинної кристалізації фаз: Cu2Se, CdSe, Sb2Se3, Cu3SbSe3, Cu12CdSb4Se13 та CuSbSe2. Найбільшу площу займає поле первинної кристалізації бінарної сполуки CdSe. Встановлені, також, характер, температури та координати нон- і моноваріантних рівноваг.

Interaction of the components in Pr3Ga1,67Se7 – Pr3Ge1,25Se7 system and crystal structure of the quaternary phase Pr3GaGe0,5Se7 have been investigated using X-ray phase analysis. The alloys were synthesized from elementary substances of at least 99.99 wt. % purity in quartz containers in an MP-30 programmable electric muffle furnace. Containers were evacuated to a residual pressure of 10-2 Pa and soldered in oxygen-gas burner flame. The alloys were synthesized by: 1) heating the mixture to 870 K at the rate of 30 K/h; 2) exposure for 100 h; 3) heating to 1370 K at the rate of 12 K/h; 4) exposure for 2 h; 5) cooling to 770 K at the rate of 12 K/h; 6) homogenizing annealing for 500 h. After reaching the equilibrium state, the synthesized alloys were quenched into room-temperature water. The diffraction patterns for X-ray phase analysis were recorded at a DRON 4-13 diffractometer for 2Q range of 10-80° (CuKα radiation, scan step 0.05°, 4 s exposure in each point). Data processing and the determination of the crystal structure utilized WinCSD software package. A continuous solid solution series is formed in the Pr3Ga1,67Se7 – Pr3Ge1,25Se7 system. At 770 K, the parameter a of the hexagonal cell varies within the solid solution from 1,0354(3) nm to 1,0620(3) nm. The parameter c varies from 0,6391(2) nm to 0,6057(1) nm, and the cell volume from 0,59336 nm3 to 0,59163 nm3. The Pr atoms are centered on trigonal prisms with one additional atom. These prisms are formed by Se atoms. The atoms of the statistical mixture M1 (0,333 Ga + 0,167 Ge) are located practically in the centers of the octahedra of Se atoms ([M16Se1]). Atoms M2 (0,667 Ga + 0,333 Ge) are located in tetrahedraof Se atoms ([M23Se21Se3])., Методами рентгенофазового та рентгеноструктурного аналізу вивчено фізико-хімічну взаємодію компонентів селенвмісної системи Pr3Ga1,67Se7 – Pr3Ge1,25Se7 та кристалічну структуру тетрарної фази Pr3GaGe0,5Se7 (просторова група P63). В структурі Pr3GaGe0,5Se7 атоми Pr центрують тригональні призми з одним додатковим атомом, ці призми сформовані атомами Se. Атоми статистичної суміші M1(0,333 Ga + 0,167 Ge) розміщені практично у центрах октаедрів з атомів Se. Атоми M2(0,667 Ga + 0,333 Ge) розміщені у тетраедрах із атомів Se.

The interaction between the components in the Cu2S – In2S3 – CuI system has been inverstigated by methods of X-ray analysis and differential-thermal analysis. An isothermal section of the quasi-ternary system at 770 K, two phase diagrams, three polythermal sections and theliquidus surface projection of the system were constructed. The isothermal section of the Cu2S – In2S3 – CuI quasi-ternary system at 770 K has been built based on the results of the X-ray analysis. The large regions of the solid solutions based on binary, ternary and quaternary compounds do not form at 770 К. The following one-phase regions were fixedat the temperature: κ-solid solutions based on Cu2S with cubic structure (S.G. Fm-3m), η-solid solutions based on CuI (S. G. F-43m), ε-solid solutions based on CuIn2S3I with a cubic structure (S. G. F-43m), δ′-solid solutions based on LTM-In2S3 (S.G. I-4/amd), μ-solid solutions based on CuIn5S8(S.G. Fd3m), γ-solid solutions based on LTM-CuInS2 (S.G. I-42d). These single-phase regions are separated by nine two-phase equilibria. The liquidus surface projection was built based on the two phase diagrams of In2S3 –CuI and CuInS2 – CuI systems and three polythermal sections CuIn5S8 –CuIn2S3I, CuInS2 –CuIn2S3I, CuInS2 – “Cu3SI”, which have been constracted in this work. In addition, literature data about the interaction in In2S3 – Cu2S and Cu2S – CuI systems have been used. The liquidus surface projection consists from the areas of primary crystallization of κ-solid solutions based on Cu2S, α-solid solutions based on HTM-CuInS2, β-solid solutions based on 2-HTM-CuInS2, γ-solid solutions based on LTM-CuInS2, μ-solid solutions based on CuIn5S8, δ-solid solutions based on HTM-In2S3, ε-solid solutions based on CuIn2S3I, η-solid solutions based on CuI. These areas are separated by 18 mono-variant curves and 17 non-variant points., Методами рентгенофазового та диференційно-термічного аналізів досліджено фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Cu2S – In2S3 – CuI. Побудовано ізотермічний переріз при 770 К, дві діаграми стану In2S3 – CuI та CuInS2 – CuI, три політермічних перерізи CuIn5S8 – CuIn2S3I, CuInS2 – CuIn2S3I, CuInS2 – “Cu3SI” та проекцію поверхні ліквідуса системи. Зафіксоване існування тетрарної сполуки CuIn2S3I з кубічною структурою, пр. гр. F-43m, а=0,58013(1) нм. Протяжність ε-твердих розчинів на її основі складає 48-54 мол. % CuI.

77 alloys have been synthesized to study the interaction of the components in the Cu2Se –SnSe2– As2Se3 quasi-ternary system. The synthesis was carried out by direct single-temperature method from high purity substances (Cu – 99.99 wt.%, Sn – 99.99 wt.%, Se – 99.9997 wt.%, As – 99.9999 wt.%) in evacuated and sealed quartz ampoules. The maximum temperature of the synthesis was 1170 K, homogenizing annealing was carried out at 510 K during 600 h. The obtained samples were investigated by X-ray analysis and differential thermal analysis. The isothermal section of the system at 510 K has been constructed based on the results of the X-ray analysis. The quasi-binary equilibria Cu2SnSe3 – CuAsSe2; Cu2GeSe3 – As2Se3 divide the quasi-ternary system into 3 subsystems: Cu2Se – Cu2SnSe3 – CuAsSe2; CuAsSe2 – Cu2SnSe3 – As2Se3 and Cu2SnSe3 – SnSe2 – As2Se3. Solid solutions with large length are not formed, solubilities based on binary, ternary compounds are not more than 5 mol. %. The liquid surface projection of the Cu2Se – SnSe2 – As2Se3 quasi-ternary system has been built based on the literary and obtained results of investigations of the four polythermal sections and one phase diagram. The projection consists of the fields of primary crystallization of Cu2Se, Cu2SnSe3, SnSe2, As2Se3, CuAsSe2. They are separated by 8 monovariant curves and 9 nonvariant points. The Cu2SnSe3 – As2Se3 section is quasi-binary and it devides the investigated system into two subsystems: Cu2Se – Cu2SnSe3 – As2Se3 (I) and Cu2SnSe3– As2Se3– SnSe2 (II). In the subsystem (I) two nonvariant processes take place:LU1 + Cu2Se ↔ Cu2SnSe3 + CuAsSe2 (peritectic) at 700 K and LE1 ↔ As2Se3 + CuAsSe2 + Cu2SnSe3 (eutectic) at 600 К. In the subsystem (II) one nonvariant eutectic process LE2 ↔ As2Se3 + Cu2SnSe3 + SnSe2 takes place at 610 К., Методами прямого синтезу, рентгенофазового, диференційного термічного аналізів досліджено фазові рівноваги в квазіпотрійній системі Cu2Se – SnSe2 – As2Se3. Побудовано ізотермічний переріз системи при 510 К, підтверджено існування тернарних сполук Cu2SnSe3 та CuAsSe2, існування тетрарних сполук не встановлено. Побудовано діаграму стану Cu2SnSe3 – As2Se3, чотири політермічні перерізи Cu2SnSe3 – CuAsSe2, SnSe2 – Cu- AsSe2, А – As2Se3, А – CuAsSe2 (А: 26 мол.% SnSe2 – 74 мол.% Cu2Se), проекцію поверхні ліквідусу на концентраційний трикутник. Встановлені області первинної кристалізації фаз, характер, температури та координати нон- і моноваріантних рівноваг.

One of the directions for finding new materials is to complicate the component composition of the compounds. Therefore, the acquisition of new tetrachloride halogens and the study of their crystalline structure have become the object of this search. Ternary and quaternary chalcohenides and chalcоhalohenides with tetrahedral coordination cations are among the classes of compounds that are of great interest to researchers.The tetrahedral compounds of the composition AB2X3Y are formed in the systems AY – B2X3 (where A – Cu, Ag; B – In; X – S, Se, Te; Y – Cl, Br, I). Our attention was focused on the compounds where A is Cu, B is Ga; X is S, Se; Y is I). By the X-ray phase analysis method, the existence of new quaternary compounds CuGa2S3I, CuGa2Se3I have been established and their crystal structures have been studied by the powder method. Compounds were synthesized by a direct single-temperature method from simple substances of copper, galium, sulfur, and freshly obtained copper (I) iodide. Sulfur had been previously cleaned by a twotime vacuum distillation method. The crystal structures of these compounds were determined from data sets obtained on the DRON 4-13 X-ray diffractometer (CuKα radiation, in the range of 10°≤2θ≤100°, scan step 0.05°, 20 sec. exposure at each point). The computation of the crystal structure of the quaternary compounds CuGa2S3I, CuGa2Se3I was performed using WinCSD software package. Compounds CuGa2S3I, CuGa2Se3I have been indexed in tetragonal syngony, space group I-4 with cell parameters: a= 0.3311 (2) nm, c= 1.04411 (5) nm for the sulfur-containing compound, a= 0.55821 (3) nm, c= 1.0981 (2) nm for the selenium-containing compound. The unit cell contains 14 atoms. The coordinates of the atoms and the isotropic displacement parameters have satisfactory values. In the structures of the compounds, the galium atoms occupy two regular point positions (2a and 2c) and have tetrahedral environments [Ga14S(Se)1], [Ga24S(Se)1]. The positions of Ga1 (2a) and Ga2 (2c) are 80% filled. The statistical mixtures M1 (Cu + Ga) and M2 (Cu + Ga) occupy two regular point systems (2b and 2d) and are surrounded by the tetrahedra [M14S(Se)1], [M24S(Se)1]. The statistical mixtures M1 (2b) and M2 (2d) have the following composition: 50% Cu and 20% Ga, 30% of the position is not filled., Встановлено існування нових тетрарних сполук CuGa2S3I, CuGa2Se3I, їх кристалічна структура досліджена методом порошку. Сполуки проіндексовані у тетрагональній сингонії, просторова группа I-4 з параметрами комірок: a=0.3311(2) нм, c=1.04411(5) нм (для CuGa2S3I), a=0.55821(3) нм, c=1.0981(2) нм (для CuGa2Se3I). У структурах тетрарних сполук CuGa2S3I, CuGa2Se3I атоми Ga займають дві правильні системи точок (2a і 2c) і мають тетраедричне оточення [Ga14S(Se)1], [Ga24S(Se)1]; положення Ga1 (2a) і Ga2 (2c) заповнені на 80 %. Статистичні суміші M1 (Cu + Ga) і M2 (Cu + Ga) займають дві правильні системи точок (2b і 2d) і оточені тетраедрами [M14S(Se)1], [M24S(Se)1]. Статистичні суміші M1 (2b) і M2 (2d) мають такий склад: 50 % Cu і 20 % Ga, 30 % позицій не заповнені.

Glasses of the composition (70–X) mol.% Ga2S3 - 30 mol.% La2S3 - X Er2S3 (at X = 0, 1, 3) were synthesized and the optical absorption spectra at room temperature were studied. Photoluminescence spectra in the 2.53 - 0.73 eV range at 300 and 80 K were investigated. Intense PL maxima at 2.25, 1.88, 1.45, 1.26, 1.13, 0.81 eV were found which correspond to transitions in the f-shell of erbium ions. The redistribution of the intensity of PL peaks with temperature was analyzed based on the energy transition diagram of erbium ions., Синтезовано стекла (70-X) mol % Ga2S3 – 30 mol % La2S3 – X Er2S3 (при Х= 0, 1, 3) та досліджено спектри оптичного поглинання за кімнатної температури. Проаналізовано спектри фотолюмінесценції в діапазоні 2,53 – 0,73 еВ при температурі 300 та 80 К. Встановлено інтенсивні ФЛ максимуми 2,25, 1,88, 1,45, 1,26, 1,13, 0,81 еВ, що відповідають переходам в f-оболонці іонів Ербію. На основі діаграми енергетичних переходів в іонах Ербію проаналізовано перерозподіл інтенсивності між максимумами ФЛ при зміні температури.

For the investigation of the phase equilibria in the systems AgCl(I) – La2S3 – Ga2S3 30 samples were synthesized for each of system. The samples were studied by X-ray diffraction (XRD) and differential thermal analyses (DTA). Diffraction patterns were recorded on DRON 4-13 diffractometer, CuKα radiation, step scan 0.05º, exposure time 2 s. The analysis of the diffraction patterns was performed using PowderCell-2 software package. The DTA curves were recorded using Pt/Pt-Rh thermocouples at a combination of a Thermodent regulated heating furnace and a H307-1 XY recorder set. Phase equilibria in AgCl(I) – La2S3 – Ga2S3 system at 770 K were built from the X-ray analysis results. In the quasiternary systems, small one-phase regions are formed based on Ga2S3, S.G. Cc, a = 1.1136 (2), b = 0.6407 (2), c = 0.7038 (3) nm, b = 121.22°, La2S3, S.G. Pnma, a = 0.7560 (3), b = 0.4291 (1), c = 1.5850 (2) nm, AgCl, S.G. F-43m, a = 0.5617 (5) nm, AgI, S.G. F-43m, a = 0.6485 (5) nm. In addition in the quasiternary systems the existence of two quasibinary systems AgCl(I) – LaGaS3 and AgCl(I) – La3Ga1,67S7 was found. They triangulate quasiternary systems on three subsystems AgCl(I) – La2S3 – LaGaS3, AgCl(I) – LaGaS3 – La3Ga1,67S7, AgCl(I) – La2S3 – La3Ga1,67S7. In the La2S3 – Ga2S3 system, the existence of ternary compounds LaGaS3, orthorombic system, S.G. Pna21, а = 1,5175(3), b = 1,0568(6), с = 1,2829(7) nm, β = 137,56 ̊, La3Ga1,67S7, structural type Ce3Al1,67S7, S.G. P63, a = 0,9935(3), c = 0,6013(6) nm was confirmed. There are very small one-phase regions based on them. The quaternary compounds were not found. The glasses in the AgCl(I) – Ga2S3 – La2S3 systems have orange-red color, transparent. The glass-forming regions in the AgCl(I) - Ga2S3 - La2S3 systems locate within the 50-75 mol.% Ga2S3 in the system La2S3 – Ga2S3 and extend into the concentration triangle till 5 mol.% AgCl(I). The values of the Hruby factor for the glassy specimens located within the range of 50-75 mol% Ga2S3 in the La2S3 – Ga2S3 system were found and found out that they are not significant and these samples do not have high glass-forming ability. But the samples obtained three years ago retain their glassy conditions and can be used in semiconductor technology.

На основі результатів рентгенофазового (РФА) та диференційно-термічного (ДТА) аналізів побудовано діаграму стану системи AgGaS2–AgIn5S8. According to the results of X-ray and differential-thermal analysis, phase diagram of the system AgGaS 2–AgIn5S8 was constructed.

Методами РФА та ДТА досліджено фазові рівноваги у квазіпотрійних системах Tl2Х–{Hg, Pb}X–SiX2 (X – S, Se). Установлено існування нових тетрарних еквімолярних сполук. Методом порошку розшифровано кристалічну структуру Tl2HgSiSe4 (ПГ I-42m) та Tl2PbSiS4 (ПГ P21/a). The phase equilibria of the quasi-ternary systems Tl 2Х–{Hg, Pb}X–SiX2 (X – S, Se) were investigated by X-ray phase analyse and DTA. New quaternary phases with equil ratio components were found in these systems. Crystal structures of Tl2HgSiSe4 (S. G. I-42m) and Tl2PbSiS4 (S. G. P21/a) were determinated by X-ray powder diffraction.

Із використанням рентгенофазового аналізу досліджено фазові рівноваги в квазіпотрійних системах Tl2Х−PbХ–SnХ2 (X – S, Se) за 520 K. Проміжних тетрарних фаз за цієї температури у системах не виявлено. За отриманими результатами побудовано ізотермічні перерізи за температури відпалу. The phase equilibria of the quasi-ternary systems Tl 2Х–PbХ–SnХ2 at 520 K were investigated by X-ray phase analysis. No quaternary phases were found in the systems. The isothermal sections of these systems were constructed at this temperature.

Диаграмма фазовых равновесий системы Ag2S–GeS2 была построена, используя результаты дифференциально-термического и рентгенофазового анализа. Подтверждено существование трёх соединений: Ag8GeS6, Ag10Ge3S11 и Ag2GeS3. Соединения Ag8GeS6 и Ag2GeS3 плавятся конгруэнтно при 1221 K и 922 K соответственно и являются диморфными. Для Ag10Ge3S11 характерен инкон- груэнтный тип образования при 1015 K. Рентгеновским методом порошка уточнена кристаллическая структура Ag2GeS3 (ПГ Cmc21, a = 1,17895(9) нм, b = 0,70751(5) нм, c = 0,63420(5) нм, RI = 0,0702) Phase equilibria diagram of the Ag2S–GeS2 system was investigated using the results of differential thermal analysis and X-ray diffraction. The existence of three compounds, Ag8GeS6, Ag10Ge3S11 and Ag2GeS3, was confirmed. Ag8GeS6 and Ag2GeS3 melt congruently at 1221 K and 922 K, respectively; these compounds are dimorphous. Ag10Ge3S11 is characterized by the incongruent type of formation at 1015 K. The crystal structure of Ag2GeS3 was refined using X-ray powder method (space group Cmc21, a = 1,17895(9) nm, b = 0,70751(5) nm, c = 0,63420(5) nm, RI = 0,0702).

Методами диференційно-термічного та рентгенофазового аналізів досліджено фазові рівноваги у системі Cu2Te–In2Te3 та побудовано діаграму стану цієї системи. Підтверджено наявність у системі тернарних сполук CuIn5Te8 та CuInTe2, високотемпературна модифікація останньої утворює твердий розчин з ВТМ-In2Te3. Phase equilibria and the phase diagram of the Cu2Te–In2Te3 system were investigated using differential thermal analysis and X-ray diffraction methods. The existence of the ternary compounds CuIn5Te8 and CuInTe2 was confirmed in the system. The high-temperature modification of CuInTe 2 forms a continuous solid solution series with HT-In2Te3.

Досліджені фізичні властивості монокристалів g-фази, вирощених горизонтальним методом Бріджмена по перерізу CuInSe2–2CdTe системи Cu,In,Cd||Те,Se. Визначена ширина забороненої зони цих кристалів за спектрами поглинання. Виміряно фотопровідність кристалів. Визначено тип провідності зразків із результатів вимірювання термо-ерс. Оптичні властивості кристалів досліджували вимірюваннями ефекту Холла i температурної залежності провідності кристалів. Physical properties of the single crystals of g-phase grown by the horizontal Bridgman method along the CuInSe 2–2CdTe section of the Cu,In,Cd||Те,Se system were investigated. The bandgap energy of these crystals was determined from the absorption spectra. The photoconductivity of the crystals was measured. The conductivity type of the samples was determined from the thermo-EMF measurements. Optical properties of the crystals were investigated by Hall measurements and by the temperature dependence of the conductivity.

Исследованы физические свойства монокристаллов g-фазы, выращенных модифицированным методом Бриджмена по сечению CuInSe2− 2CdTe системы CuInSe2 + 2CdTe Û CuInTe2 +2 CdSe. Определена ширина запрещенной зоны этих кристаллов по спектрам поглощения. Электрические свойства кристаллов определяли измерениями эффекта Холла и температурной зависимости проводимости кристаллов. The physical properties of the single crystals of the g-phase grown by modified Bridgman method of the CuInSe2 + 2CdTe ÛCuInTe2 + 2CdSe system have been investigated. The band gap of these crystals from the absorption spectra was defined. The electrical properties of the crystals were determined by measuring the Hall effect and temperature dependence of the crystal conductivity.

Методами рентгенофазового и дифференциально-термического анализов исследована квазибинарная система Ga2Se3–In2Se3. По результатам исследований и литературным данным по- строена её диаграмма состояния. Подтверждено существование фазы γ1, изоструктурной к γ-In2Se3 (пр. гр. Р61) и фазы γ2, которая кристаллизуется в той же пр. гр. Р61. The quasi-binary system Ga2Se3–In2Se3 was investigated by XRD and differential-thermal measurements. The diagram of phase equilibrium was constructed from the investigation results and literature data. The existence of γ1 phase, isostructural for γ-In2Se3 (sp. gr. Р61) and phase γ2, which crystallises in the same sp. gr. Р61 were confirmed.

Шляхом накладання проекції поверхні ліквідуса системи Hg–As–S на область склоутворення в ній, вияв- лено вплив послідовності формування структурних одиниць на властивості та будову стекол. The influence of the order of the formation of the structural units on the properties and the structure of the glasses of the Hg–As–S system was determined by overlaying the liquidus surface projection of the system onto its glass-formation region.

Вивчено взаємодію між компонентами в системах Tl2Х–HgХ–SnХ2 (Х – S, Se) при 520 К за результатами рентгенівської порошкової дифрактометрії. У системах встановлено утворення тетрарних сполук Tl2HgSnS4 та Tl2HgSnSe4, які кристалізуються в ПГ = I _4 2m з параметрами елементарної комірки a = 0,78586(3), c = 0,67005(3) нм і a = 0,79947(4), c = 0,67617(4) нм відповідно. Interaction of the components in Tl2S(Se)–HgS(Se)–SnS(Se)2 systems at 520 K has been determined using X-ray powder diffraction. The formation of the Tl 2HgSnS4 and Tl2HgSnSe4 (SG I _4 2m; a = 0,78586(3), c = 0,67005(3) nm and a = 0,79947(4), c = 0,67617(4) nm) compounds in the respective systems have been established.

Используя методы РФА та РСА анализов, изучена структура соединений состава Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) и твердых растворов на их основе. Соединения Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 та Hg5In2Te8 кристализируются в ПГ F 4 3m с параметром элементарной ячейки а = 1,16876(2) нм, 1,18876(2) нм, 1,24738(2) нм и 1,26723(2) нм соответственно. Using X-ray phase and X-ray structure analysis methods, crystal structure compounds type Hg5C2X8 (C–Ga, In; X–S, Se, Te) and solid solution were investigated. Compaunds Hg5Ga2Se8, Hg5In2Se8, Hg5Ga2Te8 and Hg5In2Te8 has crystal structure of the F4 3m with а = 1,16876(2) nm, 1,18876(2) nm, 1,24738(2) nm and 1,26723(2) nm.

Используя методы дифференциального термического и рентгенофазового анализов, построена диаграмма состояния квазидвойной системы PbSe–Sb2Se3 и изотермическое сечение системы Cu2Se− PbSe–Sb2Se3 при 620 К. В системе установлено существование нового тетрарного соединения Cu2PbSb4Se8 Diagram of quasibinary system PbSe–Sb2Se3 and isothermal section Cu2Se–PbSe–Sb2Se3 at 620 K were build using X-ray phase and differential thermal analysis methods. New ternary compound Cu2PbSb4Se8 was found in the system.

Враховуючи дані, отримані за результатами РФА, МСА, ДТА та поміру мікротвердості, було побудовано діаграми стану систем AgInSe2 – AgGaSe2 та AgInSe2 – Ag9GaSe6. У системі AgInSe2 – AgGaSe2 існує евтектична точка LE ↔ α + β при 1030 К та 24 мол. % AgGaSe2, де α – тверді розчини на основі високотемпературної модифікації (ВТМ) AgInSe2, β – тверді розчини на основі сполуки AgGaSe2 та низькотемпературної модифікації (НТМ) AgInSe2. Нескінченний ряд β-твердих розчинів кристалізується в структурі халькопіриту. В системі AgInSe2 – Ag9GaSe6 існує евтектична точка LE ↔α + γ при 960 К та 60 мол. % AgGaSe2. According to the data obtained from the results of X-ray, X-ray structural, microstructural, differential-thermal analysis and measurement of microhardness, phase diagrams of the systems AgInSe 2 – AgGaSe2 and AgInSe2 – Ag9GaSe6 were constructed. There is eutectic point LE ↔ α + β at 1030 К and 24 mol. % AgGaSe2 in the AgInSe2 – AgGaSe2 system, where α – solid solutions based on the high-temperature modification (HTM) of AgInSe 2, β – solid solutions based on the compound AgGaSe2 and low-temperature modification (LTM) of AgInSe 2. A continuous series of β-solid solutions crystallize in the chalcopyrite structure. There is eutectic point L E ↔ α + γ at 960 К and 60 mol. % AgGaSe2 in the AgInSe2 – Ag9GaSe6 system.

Система Cu2Se – GeSe2 – Sb2Se3 досліджувалась методами рентгенофазового та диференційного терміч- ного аналізів. Використовуючи отримані результати, побудовано діаграми фазових рівноваг трьох політерміч- них перерізів, які пересікають дану систему, та ізотермічний переріз системи Cu2Se – GeSe2 – Sb2Se3 при 620 К. Установлено, що переріз Cu2GeSe3 − Sb2Se3 є квазібінарною системою евтектичного типу з координатами нонваріантної точки 73 мол. % Sb2Se3 і 27 мол. % Cu2GeSe3, ТЕ = 779 К. Нових тетрарних та тернарних фаз у цій системі не виявлено. The Cu2Se – GeSe2 – Sb2Se3 system was investigated using X-ray phase and differential thermal analysis methods. Рhase equilibria diagrams was builted for the three polythermal sections, which are crossing present system and an isothermal section of Cu2Se – GeSe2 – Sb2Se3 at 620 K. It was determinated that the Cu2GeSe3 − Sb2Se3 section is the quasy-binary system of eutectic type with an invariant point at 73 mol. % Sb2Se3 and 27 mol. % Cu2GeSe3, ТЕ is 779 К. No new ternary and quaternary compounds were found in this system.

Знання діаграм стану дає змогу правильно обрати температурні умови отримання склоподібних сплавів, виявити найбільш сприятливі склади для їхнього отримання у склоподібному стані, а також робити висновки про їхню будову і властивості. The knowledge of the phase diagram provides the information for the correct selection of the temperature conditions of the production of glassy alloys, allows us to find the most suitable compositions for the obtaining of the glasses, provides insight into their structure and properties.

Використовуючи методи диференційно-термічного та рентгенофазового аналізів, досліджено фазові рів- новаги перерізів Сu(Ag)In5S8 – FeIn2S4. Сполуки СuIn5S8 та AgIn5S8 утворюють НРТР зі сполукою FeIn2S4. Пере- різ AgIn5S8 – FeIn2S4 є квазібінарним (І тип за класифікацією Розебома), СuIn5S8 − FeIn2S4 є частково квазібі- нарним, що зумовлено інконгруентним типом утворення СuIn5S8. Ці сполуки кристалізуються в структурному типі шпінели (ПГ Fd 3 m). Using differential thermal and X-ray phase analysis methods, phase equilibria at the Сu(Ag)In5S8 − FeIn2S4 section were investigated. Compounds СuIn5S8 and AgIn5S8 forms continuous solid solution series with FeIn2S4. The section AgIn5S8 − FeIn2S4 is quasi-binary (belongs to Roozeboom I type), section СuIn5S8 − FeIn2S4 is partially non-quasibinary due to the incongruent type of the formation of СuIn5S8. The all compounds has crystal structure of the spinel type (S.G. Fd3 m).

Методами диференційно-термічного та рентгенофазового аналізів досліджено та побудовано фазову діаграму системи Cu2GeS3–Cu2GeSe3. Система є перитектичного типу з координатами нонваріантної точки: 41 мол. % Cu2GeSe3, 1140 К. Установлено межі існування твердих розчинів на основі компонентів системи. Ключові слова: тернарна сполука, фазові рівноваги, твердий розчин, диференційно-термічний аналіз, рентгенівська порошкова дифрактометрія. The Cu2GeS3–Cu2GeSe3 system was investigated using differential thermal and X-ray phase analysis methods. The diagram is of peritectic type with an invariant point at 41 mol. % Cu2GeSe3, 1140 К. The boundaries of the solid solution ranges of the system components were determined.

Методами рентгенофазового, мікроструктурного аналізів та вимірюванням мікротвердості досліджено квазіпотрійну систему Ag2Se–CdSe–In2Se3. За результатами досліджень та літературними даними побудовано ізотермічний переріз при 820 К. Встановлено існування тетрарної сполуки Ag0,4Cd0,4In6,3Se10. The quasi-ternary system Ag2Se–CdSe–In2Se3 was investigated by XRD and microstructure analysis and microhardness measurements. The isothermal section at 820 K was constructed from the investigation results and literature data. The existence of a quaternary compound Ag0,4Cd0,4In6,3Se10 was istablished.

Рентгенофазовим аналізом встановлено фазові рівноваги в системах Cu2S–NiS–SiS2 та Cu2Sе–NiSе–SiSе2 при 670 К. Побудовано політермічні перерізи Cu2SiS3–NiS та Cu2SiSе3–NiSе за допомогою рентгенофазового та диференційно-термічного аналізів. У системі Cu2S–NiS–SiS2 встановлено існування сполуки Cu4NiSi2S7. Мето- дом порошку досліджено кристалічну структуру сполуки Cu4NiSi2S7, яка кристалізується в просторовій групі С121 з параметрами елементарної комірки а = 1,154363(2) нм, b = 0,53186(2) нм, с = 0,81638(2) нм, = 98,779(2) . Phase equilibria in the Cu2S–NiS–SiS2 and Cu2Sе–NiSе–SiSе2 systems at 670 K were investigated using phase X-ray diffraction. Polythermal sections Cu2SiS3–NiS and Cu2SiSе3–NiSе were constructed using X-ray diffraction and differential thermal analysis. Cu4NiSi2S7 compound is formed in the Cu2S–NiS–SiS2 system. The crystal structure of Cu4NiSi2S7 was investigated using powder method. It crystallizes in the space group С121 with lattice parameters а = 1,154363(2) nm, b = 0,53186(2) nm, c = 0,81638(2) nm, and = 98,779(2) .

Використовуючи методи диференційно-термічного та ренгенофазового аналізів, досліджено фазові рівно- ваги системи In2S3–CdS. Підтвержено існування сполуки CdIn2S4, яка утворює НРТР із In2S3. Встановлено існування нової тернарної сполуки Cd5In2S8 в інтервалі температур 1205–1390 К, яка має дві поліморфні модифікації. Using differential thermal and X-ray phase analysis methods, phase equilibria at the In2S3–CdS system were investigated. The existence of a CdIn2S4 compound was confirmed that forms continuous solid solution series with In2S3. The existence of a new ternary compound Cd5In2S8 was established. It exists in a temperature range of 1205–1390 К and has two polymorphous modifications.