Search

A new design has been proposed for the liquid crystal displaying element to enhance the view angle and the contrast level. The laser radiation scattering process in nematic cholesteric mixtures has been simulated mathematically. The dependences of scattering intensity on the scatter angle have been studied in experiment taking into account the laser radiation incidence angle on the scattering structure. The contrast value as a function of the optically active dopant concentration in the nematic matrix has been determined. Запропоновано нове конструктивне рішення елемента рідкокристалічного дисплею з метою збільшення кута огляду і величини контрасту. Проведено математичне моделювання процесу розсіювання лазерного випромінювання у нематик-холестиричних сумішах. Експериментально досліджено залежність інтенсивності розсіювання від кута розсіяння із врахуванням кута падіння лазерного променя на структуру, що розсіються. Визначено величину контрасту як функцію концентрації оптично-активної домішки у нематичній матриці. Предложено новое конструктивное решение элемента жидкокристаллического дисплея с целью увеличения угла зрения и контрастности. Выполнено математическое моделирование процесса рассеивания лазерного излучения в нематико-холестерических смесях. Экспериментально исследована зависимость интенсивности рассеивания от угла рассеяния с учетом угла падения лазерного луча на рассеивающую структуру. Определена величина контрастности как функция концентрации оптически активной добавки в нематической матрице.

An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier. Электрический контакт между пористым кремнием с n-типа проводимостью и проводящим полианилином с проводимостью p-типа изготовлен путем электрохимической полимеризации анилина на поверхности пористого кремния. Найдено, что такая гетероструктура демонстрирует выпрямляющие І-V характеристики. При освещении наблюдалось значительное повышение тока при обратном смещении. Фоточувствительность структуры преимущественно определяется двумя барьерами: интерфазой полимер-пористый кремний и пористый кремний-монокристаллический кремний. Електричний контакт мiж поруватим кремнiєм з n-типу провiднiстю i електропровiдним полiмером - полiанiлiном з провiднiстю p-типу створено шляхом електрохiмiчної полiмеризацiї анiлiну на поверхнi поруватого кремнiю. 3найдено, що така гетероструктура демонструє випрямляючi І-V характеристики. При освiтленнi спостерiгалося значне пiдвищення струму при зворотному змiщеннi. Фоточутливiсть структури переважно визначається двома бар'єрами: iнтерфазою полiмер-поруватий кремнiй та поруватий кремнiй-монокристалiчний кремнiй.